温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构的制备方法包括：形成第一基底，所述第一基底包括第一衬底及设置在所述第一衬底内的沿第一方向及第二方向阵列排布的有源区，字线设置在所述第一基底内，所述字线沿所述第二方向延伸且至少覆盖所述有源区的相对两侧；在所述第一基底上形成电荷存...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。