【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，具体是一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法。
技术介绍
1、近年来，igbt大功率器件模块逐渐进入人们的视线，陶瓷基板作为其中不可或缺的一环，其性能成为igbt模块的重要性能之一。直接键合铜基板(direct bonding copper，dbc)以及活性金属钎焊基板(active metal brazing，amb)作为当前市场上最常见的两种陶瓷基板，有着高热导率、高机械强度、低膨胀系数等特性，但随着工作温度不断转变，铜在陶瓷基板处形成大量的残余应力，导致陶瓷基板界面处产生裂纹。相较于铜，铝的高塑性及更低的屈服强度能够有效的缓冲基板温度转变带来的热应力，使其界面可靠性得到一定程度的加强，直接键合铝基板(direct bondingaluminum，dba)在高可靠性方向独树一帜，但处于极端工作温度条件下，经多次冷热转变后氮化铝覆铝基板界面也会出现热疲劳，应力累计在陶瓷界面形成裂纹。
2、为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，以解决现有技术中的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，包括以下步骤：
4、步骤一：将氮化铝陶瓷放置于氢氧化钠溶液中，超声清洗后取出后放置于98-100％湿度下、120-140℃老化96-120h，反
5、步骤二：在氮气环境下，将预处理氮化铝陶瓷进行氮化烧结，烧结结束后随炉冷却，在表面形成氮氧化铝层；
6、步骤三：将步骤二处理后的氮化铝陶瓷放置于成型模具中，在模具浇注口上端放置高纯铝块，装夹完成后660-950℃浇注烧结60-120min，烧结结束后随炉冷却，在表面形成金属铝层，再经脱模、切割研磨、修板，制备得到高可靠性氮化铝覆铝基板。
7、较为优化地，步骤一中，氢氧化钠溶液的浓度为1-3g/l。
8、较为优化地，步骤一中，超声清洗参数：温度为40-60℃，时间为30-60s。
9、较为优化地，步骤二中，氮化烧结工艺参数：温度为1500-1800℃，时间为60-120min，气体压力为1-5mpa。
10、较为优化地，步骤二中，所述氮氧化铝层的厚度为0.5-3.0μm。
11、较为优化地，步骤三中，浇注烧结时，真空度为0.001-0.01pa。
12、本专利技术的有益效果：
13、本专利技术提供了一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，主要通过氮化铝陶瓷表面氮氧化铝层制备，采用氢氧化钠溶液对氮化铝陶瓷表面进行碱性处理，加速老化处理，使其表层氢氧化铝水解转化为均匀氧化铝薄膜层，随后氮化烧结在氮化铝陶瓷表面形成一层氮氧化铝薄膜。氮化铝陶瓷表面生成的氮氧化铝层强度高、与氮化铝陶瓷结合可靠性强，优化控制氮氧化铝层厚度，可以在满足封装需求的散热条件下，进一步增强陶瓷强度，采用铝液高温直接浸润成型，可以直接形成直接陶瓷覆铝界面，热阻更低，可靠性更强。
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1.一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，氢氧化钠溶液的浓度为1-3g/L。
3.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，超声清洗参数：温度为40-60℃，时间为30-60s。
4.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，氮化烧结工艺参数：温度为1500-1800℃，时间为60-120min，气体压力为1-5MPa。
5.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，所述氮氧化铝层(2)的厚度为0.5-3.0μm。
6.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤三中，浇注烧结时，真空度为0.001-0.01Pa。
7.一种高可靠性氮化铝覆铝基板，其特征在于，根据权利要求1-6中任一项所述制备方法制备得到。
【技术特征摘要】
1.一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，氢氧化钠溶液的浓度为1-3g/l。
3.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，超声清洗参数：温度为40-60℃，时间为30-60s。
4.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，氮化烧结工艺参数：温度...
【专利技术属性】
技术研发人员：蹇满，欧阳鹏，杨骆，王斌，张涛，
申请(专利权)人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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