一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体领域，具体是一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法。本发明专利技术通过对氮化铝陶瓷进行碱处理，加速老化处理，使其表层氢氧化铝水解转化为均匀氧化铝薄膜层。再进行氮化烧结，在氮化铝陶瓷表面形成氮氧化铝层。再将处理后的氮化铝陶瓷放置于成型模具中，经浇注烧结得到高可靠性氮化铝覆铝基板。该方法制备的高可靠性氮化铝覆铝基板具有可靠性强、热阻低、耐热性好、增强陶瓷强度、满足封装散热需求的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体是一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法。

技术介绍

1、近年来，igbt大功率器件模块逐渐进入人们的视线，陶瓷基板作为其中不可或缺的一环，其性能成为igbt模块的重要性能之一。直接键合铜基板(direct bonding copper，dbc)以及活性金属钎焊基板(active metal brazing，amb)作为当前市场上最常见的两种陶瓷基板，有着高热导率、高机械强度、低膨胀系数等特性，但随着工作温度不断转变，铜在陶瓷基板处形成大量的残余应力，导致陶瓷基板界面处产生裂纹。相较于铜，铝的高塑性及更低的屈服强度能够有效的缓冲基板温度转变带来的热应力，使其界面可靠性得到一定程度的加强，直接键合铝基板(direct bondingaluminum，dba)在高可靠性方向独树一帜，但处于极端工作温度条件下，经多次冷热转变后氮化铝覆铝基板界面也会出现热疲劳，应力累计在陶瓷界面形成裂纹。

2、为了克服现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，氢氧化钠溶液的浓度为1-3g/L。

3.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，超声清洗参数：温度为40-60℃，时间为30-60s。

4.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，氮化烧结工艺参数：温度为1500-1800℃，时间为60-120min，气体压力为1-5MPa。

5.根据权利要求1所述的一种高可靠...

【技术特征摘要】

1.一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，氢氧化钠溶液的浓度为1-3g/l。

3.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤一中，超声清洗参数：温度为40-60℃，时间为30-60s。

4.根据权利要求1所述的一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法，其特征在于：步骤二中，氮化烧结工艺参数：温度...

【专利技术属性】
技术研发人员：蹇满，欧阳鹏，杨骆，王斌，张涛，
申请(专利权)人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：