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本发明涉及半导体领域，具体是一种高可靠性氮化铝覆铝基板的制备方法。本发明通过对氮化铝陶瓷进行碱处理，加速老化处理，使其表层氢氧化铝水解转化为均匀氧化铝薄膜层。再进行氮化烧结，在氮化铝陶瓷表面形成氮氧化铝层。再将处理后的氮化铝陶瓷放置于成型模...
该专利属于江苏富乐华半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏富乐华半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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