【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种套刻误差的预补偿量的确定方法、装置及存储介质。
技术介绍
1、相关技术中，在晶圆制程中，晶圆被放置到晶圆工作台(wafer table)进行曝光。随着制程的行进，晶圆工作台出现缺陷，例如晶圆工作台的表面磨损出现凹陷的情况，需要对晶圆工作台进行更换。在更换前的晶圆工作台有凹陷的情况，晶圆工作台上的晶圆在对应的位置也是凹陷的。在将晶圆更换至更换后的即新的晶圆工作台后，由于新的工作台的表面平整，更换至新的晶圆工作台上的晶圆的对应于凹陷位置的其他位置时凸起的，或者在不同批次下，在相同位置下，不同晶圆的表面的高度也可能不尽相同。如果继续基于更换前的晶圆工作台的套刻误差进行处理，会大大降低产品的良率。为了克服这一缺陷，需要在晶圆更换至新的晶圆工作台之后，对晶圆曝光后，经过密集的量测套刻标记物(overlaymark，ovl mark)来计算补偿值，以用于补偿晶圆工作台更换前后的套刻误差之间的差异，这种处理方式非常浪费人力物力和时间，且会因为工程师的不同，对量测出来的结果有着不同判断，而存在一定的不确定性。
技术实现思路
1、以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
2、本公开提供一种地址映射关系的确定方法、装置及存储介质。
3、根据本公开的第一方面，提供一种套刻误差的预补偿量的确定方法，所述确定方法包括：
4、在晶圆制程中，当第一预设条件切换至第二预设条件时，确定第一水准量测图和第二水准量测图
5、根据所述高度差，确定所述第一水准量测图中的参考点位；
6、根据所述参考点位确定参考角度；
7、根据所述参考角度，确定所述第一水准量测图中所有点位的初始参考量；
8、根据所述点位的所述初始参考量确定所述套刻误差的预补偿量。
9、在一些示例性的实施例中，根据所述参考点位确定参考角度，包括：
10、基于所述参考点位的顶点为顶点，按照预设规则形成向所述晶圆的参考面延伸的第一圆锥体模型；
11、确定所述第一圆锥体模型与所述晶圆的参考面的相交的底面的第一半径；
12、根据所述第一圆锥体模型的高、所述底面的第一半径确定所述参考角度。
13、在一些示例性的实施例中，基于所述参考点位的顶点为顶点，按照预设规则形成第一圆锥体模型，包括下述方式中的任意一种：
14、以所述参考点位的顶点为顶点，以所述第一圆锥体模型的底面内切于所述晶圆的参考面的方式，形成所述第一圆锥体模型；
15、以所述参考点位的顶点为顶点，以所述第一圆锥体模型的底面外切于所述晶圆的参考面的方式，形成所述第一圆锥体模型；
16、以所述参考点位的顶点为顶点，以所述第一圆锥体模型的底面的面积与所述晶圆的参考面的面积的比满足预设比例范围的方式，形成所述第一圆锥体模型。
17、在一些示例性的实施例中，根据所述参考角度，确定所述第一水准量测图中所有点位的初始参考量，包括：
18、根据所述参考角度，形成所述第一水准量测图中所有点位以对应的顶点为顶点，朝向晶圆的参考面所形成的第二圆锥体模型；
19、根据所述第二圆锥体模型的与晶圆的参考面相交的底面的第二半径；
20、根据所述第二半径确定所述初始参考量。
21、在一些示例性的实施例中，根据所述第二半径确定所述初始参考量，包括：
22、根据所述晶圆所在的预设坐标系，确定对应的点位所在象限；
23、根据所述象限以及所述预设坐标系，将所述第二半径等量分解为x轴的初始参考量和y轴的初始参考量。
24、在一些示例性的实施例中，根据所述点位的所述初始参考量确定所述套刻误差的预补偿量，包括：
25、根据所述第一水准量测图中所有点位的x轴的初始参考量和y轴的初始参考量，确定所述套刻误差的预补偿量。
26、在一些示例性的实施例中，根据所述第一水准量测图中所有点位的x轴的初始参考量和y轴的初始参考量，确定所述套刻误差的预补偿量，包括：
27、确定基于所述预设层的补偿量的权重值；
28、根据所述第一水准量测图中所有点位的x轴的初始参考量的矢量值以及所述权重值，确定所述套刻误差的在所述预设坐标系下的x轴的预补偿量；
29、根据所述第一水准量测图中所有点位的y轴的初始参考量的矢量值以及所述权重值，确定所述套刻误差的在所述预设坐标系下的y轴的预补偿量。
30、在一些示例性的实施例中，根据所述第一水准量测图中所有点位的x轴的初始参考量的矢量值以及所述权重值，确定所述套刻误差的在所述预设坐标系下的x轴的预补偿量，根据所述第一水准量测图中所有点位的y轴的初始参考量的矢量值以及所述权重值，确定所述套刻误差的在所述预设坐标系下的y轴的预补偿量，包括：
31、将所述第一水准量测图中所有点位的x轴的初始参考量的矢量值之和与所述权重的乘积，作为所述套刻误差的在所述预设坐标系下的x轴的预补偿量；
32、将所述第一水准量测图中所有点位的y轴的初始参考量的矢量值之和与所述权重的乘积，作为所述套刻误差的在所述预设坐标系下的y轴的预补偿量。
33、在一些示例性的实施例中，所述确定方法还包括：
34、根据所述晶圆的所述预设层的预设参数，确定所述权重。
35、在一些示例性的实施例中，所述预设参数包括下述参数中的一种或多种：
36、所述预设层的套刻标记物的类型、所述预设层的套刻标记物的尺寸、所述预设层的套刻标记物中的关键尺寸的大小、所述预设层的套刻标记物之间的距离的大小、所述预设层的掩膜的厚度、参考点位的选择方式。
37、在一些示例性的实施例中，根据所述高度差，确定所述第一水准量测图中的参考点位，包括下述方式中的任意一种：
38、将高度差最大的点位确定为所述第一水准量测图中的所述参考点位；
39、将高度差最小的点位确定为所述第一水准量测图中的所述参考点位；或者
40、将高度差最接近所有点位的高度差的平均值的点位确定为所述第一水准量测图中的所述参考点位。
41、在一些示例性的实施例中，第一预设条件切换至第二预设条件，包括：
42、由前一晶圆工作台切换至当前晶圆工作台；和/或
43、由前一批次的晶圆切换至当前批次的晶圆。
44、根据本公开的第二方面，提供一种套刻误差的预补偿量的确定装置，所述确定装置包括：
45、高度差确定模块，被配置为在晶圆制程中，当第一预设条件切换至第二预设条件时，确定第一水准量测图和第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，所述确定方法包括：
2.根据权利要求1所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述参考点位确定参考角度，包括：
3.根据权利要求2所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，基于所述参考点位的顶点为顶点，按照预设规则形成第一圆锥体模型，包括下述方式中的任意一种：
4.根据权利要求2或3所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述参考角度，确定所述第一水准量测图中所有点位的初始参考量，包括：
5.根据权利要求4所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述第二半径确定所述初始参考量，包括：
6.根据权利要求5所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述点位的所述初始参考量确定所述套刻误差的预补偿量，包括：
7.根据权利要求6所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述第一水准量测图中所有点位的X轴的初始参考量和Y轴的初始参考量，确定所述套刻误差的预补偿量，包括：
8.根据权利要求7所述的套
9.根据权利要求7所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，所述确定方法还包括：
10.根据权利要求9所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，所述预设参数包括下述参数中的一种或多种：
11.根据权利要求1所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述高度差，确定所述第一水准量测图中的参考点位，包括下述方式中的任意一种：
12.根据权利要求1所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，第一预设条件切换至第二预设条件，包括：
13.一种套刻误差的预补偿量的确定装置，其特征在于，所述确定装置包括：
14.一种套刻误差的预补偿量的确定装置，其特征在于，包括：
15.一种非临时性计算机可读存储介质，当所述存储介质中的指令由确定装置的处理器执行时，使得确定装置能够执行权利要求1-11任一所述的方法。
...【技术特征摘要】
1.一种套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，所述确定方法包括：
2.根据权利要求1所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述参考点位确定参考角度，包括：
3.根据权利要求2所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，基于所述参考点位的顶点为顶点，按照预设规则形成第一圆锥体模型，包括下述方式中的任意一种：
4.根据权利要求2或3所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述参考角度，确定所述第一水准量测图中所有点位的初始参考量，包括：
5.根据权利要求4所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述第二半径确定所述初始参考量，包括：
6.根据权利要求5所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述点位的所述初始参考量确定所述套刻误差的预补偿量，包括：
7.根据权利要求6所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述第一水准量测图中所有点位的x轴的初始参考量和y轴的初始参考量，确定所述套刻误差的预补偿量，包括：
8.根据权利要求7所述的套刻误差的预补偿量的确定方法，其特征在于，根据所述第一水准量测...
【专利技术属性】
技术研发人员：王正灏，宋兆捷，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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