System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 磁控溅射系统及其控制方法和装置制造方法及图纸_技高网

磁控溅射系统及其控制方法和装置制造方法及图纸

技术编号:40781269 阅读:3 留言:0更新日期:2024-03-25 20:25
本申请公开了一种磁控溅射系统及其控制方法和装置,方法包括:根据测试靶材的纵向沉积膜厚度分布结果,对磁芯的磁场强度分布进行调整,以在目标靶材的表面得到预设数量的初始表面离子;在溅射过程中,通过辉光光谱检测装置实时监控目标靶材的当前表面离子与当前气体离子之间的实时比例,并基于所述实时比例进行反馈控制,既能够提供稳定的、均匀的靶材溅射环境,又能够有效提高沉积膜的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般涉及真空镀膜领域,具体涉及一种磁控溅射系统及其控制方法和装置


技术介绍

1、磁控溅射是一项常用的真空镀膜技术,主要用于在产品表面形成致密的薄膜。磁控溅射系统通过将靶材放置在电源表面,施加适当的电压后,在靶材附近形成强磁场以及高气压区域的辉光放电区,利用辉光放电区的重离子对靶材表面进行轰击,产生溅射。

2、但是,相关技术中,随着靶材的消耗,造成靶材表面的磁场强度发生变化,进而导致溅射过程随着靶材的消耗周围的环境逐渐发生偏移,从而影响工艺的均匀性和稳定性,而且,通常遇到这种情况需要工程师进行手动调整,即耗费时间,同时调整精度较低。


技术实现思路

1、鉴于现有技术中的上述缺陷或不足,期望提供一种磁控溅射系统及其控制方法和装置,既能够提供稳定的、均匀的靶材溅射环境,又能够有效提高沉积膜的可靠性。

2、第一方面,本申请实施例提供了一种磁控溅射系统的控制方法,包括:

3、根据测试靶材的纵向沉积膜厚度分布结果,对磁芯的磁场强度分布进行调整,以在目标靶材的表面得到预设数量的初始表面离子;

4、在溅射过程中,通过辉光光谱检测装置实时监控目标靶材的当前表面离子与当前气体离子之间的实时比例,并基于所述实时比例进行反馈控制,以使所述当前表面离子与所述当前气体离子之间的实时比例满足预设比例。

5、在一些实施例中,所述气体离子包括反应气体离子,所述基于所述实时比例进行反馈控制,包括:

6、根据所述目标靶材的当前表面离子与当前反应气体离子之间的第一实时比例,调整所述反应气体离子的流量。

7、在一些实施例中,所述磁控溅射系统包括多个电磁调节阀,所述方法还包括:

8、针对所述目标靶材上的每个溅射反应区域,根据所述溅射反应区域对应的所述第一实时比例,调整与所述溅射反应区域对应的所述电磁调节阀,以调整所述溅射反应区域内所述反应气体离子的流量。

9、在一些实施例中,所述气体离子包括工作气体离子,所述基于所述实时比例进行反馈控制,包括:

10、根据所述目标靶材的当前表面离子与当前工作气体离子之间的第二实时比例,调整所述磁芯的磁场分布。

11、在一些实施例中,还包括:

12、通过对所述测试靶材进行测试溅射,得到所述测试靶材的纵向沉积膜厚度分布结果。

13、第二方面,本申请实施例提供了一种磁控溅射系统的控制装置,包括:

14、第一调整单元,用于根据测试靶材的纵向沉积膜厚度分布结果,对磁芯的磁场强度分布进行调整,以在目标靶材的表面得到预设数量的初始表面离子;

15、第二调整单元,用于在溅射过程中,通过辉光光谱检测装置实时监控目标靶材的当前表面离子与当前气体离子之间的实时比例,并基于所述实时比例进行反馈控制,以使所述当前表面离子与所述当前气体离子之间的实时比例满足预设比例。

16、第三方面,本申请实施例提供了一种磁控溅射系统,包括:

17、可调整磁场强度分布的磁芯;

18、辉光光谱检测装置;

19、执行所述的磁控溅射系统的控制方法的控制装置。

20、第四方面,本申请实施例提供了一种电子设备,包括存储器、处理器以及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,该处理器执行该程序时实现如本申请实施例描述的方法。

21、第五方面,本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,该程序被处理器执行时实现如本申请实施例描述的方法。

22、第六方面,本申请实施例提供了一种计算机程序产品,包括计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如本申请实施例描述的方法。

23、本申请实施例提供的磁控溅射系统及其控制方法和装置,能够通过根据测试靶材的纵向沉积膜厚度分布结果对磁芯的磁场强度分布进行调整,使得在实际溅射过程中能够得到更均匀分布的纵向沉积膜,并且通过基于辉光光谱的实时离子比例分析的反馈控制,能够使得在目标靶材上得到的纵向沉积膜成分更稳定。进一步地,本申请能够通过控制装置自动执行上述控制策略,从而有效避免人工干预控制导致的溅射精度低、成本高等问题。

24、本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实践了解到。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁控溅射系统的控制方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述气体离子包括反应气体离子,所述基于所述实时比例进行反馈控制,包括:

3.根据权利要求2所述的控制方法,其特征在于,所述磁控溅射系统包括多个电磁调节阀,所述方法还包括:

4.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述气体离子包括工作气体离子,所述基于所述实时比例进行反馈控制,包括:

5.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,还包括:

6.一种磁控溅射系统的控制装置,其特征在于,包括:

7.一种磁控溅射系统,其特征在于,包括:

8.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述程序时,实现如权利要求1-5中任一所述的磁控溅射系统的控制方法。

9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该程序被处理器执行时实现如权利要求1-5中任一所述的磁控溅射系统的控制方法。

10.一种计算机程序产品,包括计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-5中任一项所述的磁控溅射系统的控制方法。

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【技术特征摘要】

1.一种磁控溅射系统的控制方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述气体离子包括反应气体离子,所述基于所述实时比例进行反馈控制,包括:

3.根据权利要求2所述的控制方法,其特征在于,所述磁控溅射系统包括多个电磁调节阀,所述方法还包括:

4.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,所述气体离子包括工作气体离子,所述基于所述实时比例进行反馈控制,包括:

5.根据权利要求1所述的控制方法,其特征在于,还包括:

6.一种磁控溅射系统的控制装置,其特征在于,包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:王大玮李铮杨坤
申请(专利权)人:布勒莱宝光学设备北京有限公司
类型:发明
国别省市:

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