【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及沉积装置，更详细而言涉及利用与闸门相邻的单独的热线均匀地维持基板温度的沉积装置。
技术介绍
1、随着电子元件的集成化，正在开发通过原子层沉积法均匀地沉积纳米单位的薄膜的技术。另一方面，随着硅氮化膜工序对高温的敏感度逐渐增加，正在致力于降低工序温度，作为其中的一环，正在执行利用等离子体的低温工序的开发。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种可解决安置在基座上部的基板的温度不均匀的沉积装置。
2、本专利技术涉及的沉积装置可包括腔体、闸门和基座。所述腔体可提供内部空间。所述闸门位于所述腔体的一侧面，能够开闭所述腔体且使基板出入。所述基座可在一面安置所述基板。所述基座可包括：基座主体，包括第一区域以及被配置成在第一方向上比所述第一区域更远离所述闸门的第二区域；第一热线，在所述第一区域内被配置成第一图案；以及第二热线，在所述第一区域和所述第二区域中被配置成第二图案，所述第一热线和所述第二热线可在平面上以横穿所述基座主体的中心且与所述第一方向正交的第二方向为基准不对称，独立地控制所述第一热线和所述第二热线。
3、可以是，在每单位面积中，所述第一热线的发热量高于所述第二热线的发热量。
4、可以是，在所述腔体的下部面定义有与所述闸门相邻的排气口。
5、可以是，作为从所述腔体的设置有所述闸门的所述一侧面到与所述腔体的所述一侧面相邻的所述基座主体的一侧面为止的间距的第一间距大于作为从所述腔体的另一侧面到与所述腔体的所述另一侧面相
6、可以是，所述第二热线包括被独立地控制的至少一个第2-1热线和第2-2热线，所述第2-1热线配置在所述基座主体的内侧，所述第2-2热线沿着所述基座主体的边缘位置配置。
7、可以是，所述第2-1热线在平面上以横穿所述基座主体的所述中心的所述第一方向为基准对称。
8、可以是，所述第一热线在平面上以横穿所述基座主体的所述中心的所述第一方向为基准对称。
9、可以是，所述第一热线在所述第二方向上被配置成比所述第二热线更靠所述基座的内侧。
10、可以是，所述第一热线的与所述闸门相邻的部分与所述第二方向平行地延伸。
11、可以是，所述第一热线的沿着所述第二方向的最大长度在所述基座主体的沿着所述第二方向的长度的0.5倍以上且1倍以下。
12、可以是，所述第一热线在平面上所占的面积的沿着所述第二方向的最小长度在所述基座主体的沿着所述第二方向的长度的0.6倍以下。
13、可以是，所述第一热线在平面上所占的面积在所述第一区域在平面上所占的面积的0.8倍以下。
14、可以是，在所述第一方向上，越远离所述闸门，所述第一热线的占用面积越恒定或越减小。
15、可以是，所述第一热线偏重于与所述闸门相邻的所述第一区域的一侧，所述第二热线偏重于远离所述闸门的所述第二区域的一侧。
16、可以是，所述第一热线在平面上所占的面积的沿着所述第一方向的最大长度在所述第一区域的沿着所述第一方向的长度的0.5倍以上。
17、本专利技术涉及的沉积装置可包括在一面安置基板的基座，所述基座可包括：基座主体，包括以横穿所述基座的中心的第一方向为基准划分的第一区域和第二区域；第一热线，在所述第一区域内弯折多次来配置；以及第二热线，在所述第一区域和所述第二区域中弯折多次来配置，在与所述第一方向交叉的第二方向上，越接近所述基座主体的中心，所述第一热线的占用面积越恒定或越减小，独立地控制所述第一热线和所述第二热线。
18、可以是，所述第一热线和所述第二热线在平面上以所述第一方向为基准不对称。
19、可以是，所述第一热线偏重于远离所述第二区域的所述第一区域的一侧。
20、(专利技术效果)
21、如上所述，通过独立地控制配置在与闸门相邻的第一区域中的第一热线以及配置在远离闸门的第二区域中的第二热线，可均匀地维持基板的温度。
22、此外，考虑温度越靠近闸门越容易降低的特性来配置第一热线，从而可有效地应对温度变化。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种沉积装置，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
3.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
4.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
5.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
6.根据权利要求5所述的沉积装置，其中，
7.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
8.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
9.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
10.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
【技术特征摘要】
1.一种沉积装置，包括：
2.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
3.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
4.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
5.根据权利要求1所述的沉积装置，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：咸基烈，高锡珍，吴京洙，李学殊，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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