一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供衬底，在衬底中形成有器件结构层，在器件结构层上形成有层间介电层，在层间介电层上形成有顶部金属层；刻蚀顶部金属层以形成第一金属焊盘和第二金属焊盘，第一金属焊盘和第二金属焊盘具有倾斜的侧壁形貌；形成第一钝化层；图案化第一钝化层以在第一钝化层中形成第一开口；形成第二钝化层，覆盖第一钝化层并具有第二开口。本发明专利技术的方案通过形成具有倾斜的侧壁形貌的第一金属焊盘和第二金属焊盘，能够有效缓解第一金属焊盘和第二金属焊盘的侧壁及拐角处的应力，避免了第一金属焊盘和第二金属焊盘的侧壁及拐角处的第一钝化层与第二钝化层发生开裂等问题，提高了器件的可靠性与产品良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。

技术介绍

1、集成电路(ic)尤其是超大规模集成电路中的主要器件是金属氧化物场效应晶体管(mos)，其中，碳化硅晶体，例如4h-sic，因其具有禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度快等特性，是制作高压mos的理想材料，这使得碳化硅材料成为了国际上功率半导体器件的研究热点，并在高功率应用场合，如高速铁路、混合动力汽车、智能高压直流输电等领域，碳化硅器件均被赋予了很高的期望。

2、相关技术中，往往会形成钝化层来对器件进行保护，然而，相关技术中的钝化层易发生开裂甚至脱落，导致水汽与杂质离子侵入造成器件失效，进而导致产品良率降低。

技术实现思路

1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

2、针对目前存在的问题，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积方法形成所述第一钝化层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的材质包括氧化铝。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层的材质包括聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括碳化硅MOS器件。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属焊盘包括源极焊盘，所述第二金属焊盘包括栅极焊盘。

7.根据权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积方法形成所述第一钝化层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的材质包括氧化铝。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层的材质包括聚酰亚胺。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述半导体器件包括碳化硅mos器件。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘双娟，谢志平，李枭，史海笑，苏萌萌，
申请(专利权)人：芯联集成电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：