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一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：提供衬底，在衬底中形成有器件结构层，在器件结构层上形成有层间介电层，在层间介电层上形成有顶部金属层；刻蚀顶部金属层以形成第一金属焊盘和第二金属焊盘，第一金属焊盘和第二金属焊盘具有倾斜的侧壁...
该专利属于芯联集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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