【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，尤其涉及一种监测阈值电压的方法。
技术介绍
1、金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor,mosfet或mos)是集成电路中常用的半导体器件。其中，阈值电压vth是mos管的重要参数之一。该阈值电压vth是指当si和sio2界面处的少数载流子的浓度等于所掺杂的多数载流子的浓度时(即，mos器件处于临界导通的状态时)，该mos器件的栅极电压。一般情况下，该阈值电压vth与衬底的掺杂浓度、氧化层的厚度、氧化层和界面的陷阱密度(取决于所俘获的电荷数)、环境温度等因素有关。在mos管工作过程中，所俘获的电荷数、环境温度都会引起该阈值电压vth的实时变化，而且现有方法很难实时且准确的监测出mos管阈值电压的变化。
技术实现思路
1、本申请提供了一种监测阈值电压的方法，该方法包括：
2、奇数个波动电路获取输入信号，其中奇数个波动电路依次连接；
3、当输入信号由第一电平...
【技术保护点】
1.一种监测阈值电压的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的监测阈值电压的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的监测阈值电压的方法，其特征在于，当所述第一待测管的阈值电压发生变化时，所述第一信号由所述第一电平转换为所述第二电平所需时长与由所述第二电平转换为所述第一电平所需时长均会改变，从而改变所述振荡信号的所述振荡周期。
4.根据权利要求1所述的监测阈值电压的方法，其特征在于，若所述振荡信号的所述振荡周期超出预设周期范围的上限，则指示出所述第一待测管的阈值电压超出预设电压范围的上限，若所述振...
【技术特征摘要】
1.一种监测阈值电压的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的监测阈值电压的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的监测阈值电压的方法，其特征在于，当所述第一待测管的阈值电压发生变化时，所述第一信号由所述第一电平转换为所述第二电平所需时长与由所述第二电平转换为所述第一电平所需时长均会改变，从而改变所述振荡信号的所述振荡周期。
4.根据权利要求1所述的监测阈值电压的方法，其特征在于，若所述振荡信号的所述振荡周期超出预设周期范围的上限，则指示出所述第一待测管的阈值电压超出预设电压范围的上限，若所述振荡信号的所述振荡周期超出所述预设周期范围的下限，则指示出所述第一待测管的阈值电压超出所述预设电压范围的下限，若所述振荡信号的所述振荡周期处于所述预设周期范围内，则指示出所述第一待测管的阈值电压处于所述预设电压范围内。
5.根据权利要求1所述的监测阈值电压的方法，其特征在于，若所述振荡信号的所述振荡周期超出预设周期范围的上限，则指示出所述第一待测管的阈值电压超出预设电压范围的下限，若所述振荡信号的所述振荡周期超出所述预设周期范围的下限，则指示出所述第一待测管的阈值电压超出所述预设电压范围的上限，若所述振荡信号的所述振荡周期处于所述预设周期范围内，则指示出所述第一待测管的阈值电压处于所述预设电压范围内。
6.根据权利要求1所述的监测阈值电压的方法，其特征在于，所述奇数个波动电路中的第一波动电路包括第一监测电路；其中，所述第一监测电路包括依次连接的第一nmos管和第二nmos管，其中所述第一nmos管的漏极连接电源电压，所述第一nmos管的栅极连接所述输入信号，所述第二nmos管的栅极连接所述电源电压，所述第二nmos管的源极接地，所述第一nmos管的源极与所述第二nmos管的漏极连接以形成输出第一监测信号的输出端，其中，所述第二nmos管为所述第一待测管。
7.根据权利要求6所述的监测阈值电压的方法，其特征在于，若所述第二nmos管的阈值电压超出预设电压范围的上限时，则在所述输入信号由所述第一电平转换为所述第二电平时，所述第一监测信号的电压增加且从所述输出端流向后续电路的充电电流也增加以改变充电时间，从而改变所述第一监测信号由所述第一电平转换为所述第二电平所需时长，进而改变所述第一信号由所述第一电平转换为所述第二电平所需时长；在所述输入信号由所述第二电平转换为所述第一电平时，所述第一监测信号的电压增加且从所述后续电路流向所述输出端的放电电流减小以改变放电时间，从而改变所述第一监测信号由所述第二电平转换为所述第一电平所需时长，进而改变所述第一信号由所述第二电平转换为所述第一电平所需时长。
8.根据权利要求6所述的监测阈值电压的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷宁淳，
申请(专利权)人：河南省科学院集成电路研究所，
类型：发明
国别省市：
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