１００毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片制造技术

本发明专利技术涉及１００毫米的高纯半绝缘单晶碳化硅晶片。公开了单一多型体的单晶碳化硅晶片，其直径大于７５毫米，并小于１２５毫米，电阻率大于１００００ｏｈｍ－ｃｍ，微管密度小于２００ｃｍ－２，并且浅能级掺杂剂的总浓度小于５Ｅ１６ｃｍ－３。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半绝缘碳化硅单晶，且具体地，涉及形成直径至少100毫米(mm)的高 纯半绝缘碳化硅单晶晶片的方法。因为英制和公制单位之间的关系(例如，25.4毫米=1 英寸)，这样的晶片也被称为“4英寸”晶片。
技术介绍
碳化硅(SiC)的电子和物理综合性能使其是用于高温，高压，高频和高功率电子 器件的引人关注的半导体材料。这些性能包括3. 0电子伏特(eV)的带隙(6H)，4兆伏每厘 米(MV/cm)的击穿电场，4. 9W/cmK的热导率，以及2X IO7厘米每秒(cm/s)的电子漂移速 率。碳化硅还特别有用的能力是可通过掺杂变成导电的，或者采用多种加工技术变成半绝 缘的。这些性能使得碳化硅成为大量电子应用的选择材料。制造用于许多应用比如RF器件的集成电路需要半绝缘的衬底，在其上面构建电 子器件并将它们彼此连接。历史上，蓝宝石因其对电流的高阻性而被用作微波器件的衬底 材料。然而，蓝宝石的缺点在于，限制了对于适当器件操作具有合适的晶格匹配的衬底上可 以制造的半导体层的类型。如这里所用到的，术语“高阻”和“半绝缘”在大多数场合下可以认为是同义的。通 常，这两个术语描述了具有的电阻率大于本文档来自技高网...

【技术保护点】
碳化硅晶片，包括：　　单一多型体的单晶；　　直径大于７５毫米；　　电阻率大于１００００ｏｈｍ－ｃｍ；　　微管密度小于２００ｃｍ↑［－２］；以及　　浅能级掺杂剂的总浓度小于５Ｅ１６ｃｍ↑［－３］。

【技术特征摘要】
US 2004-6-25 10/876,963碳化硅晶片，包括单一多型体的单晶；直径大于75毫米；电阻率大于10000ohm cm；微管密度小于200cm 2；以及浅能级掺杂剂的总浓度小于5E16cm 3。2.依据权利要求1的晶片，其具有的直径大约100mm。3.依据权利要求1的晶片，其具有的微管少于每平方厘米100个。4.依据权利要求1的晶片，其具有的微管少于每平方厘米30个。5.依据权利要求1的晶片，其具有的微管少于每平方厘米15个。6.依据权利要求1的晶片，其具有的微管少于每平方厘米5个。7.依据权利要求1的沿轴碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：JR杰尼，
申请(专利权)人：克里公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]