【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，特别是涉及光电二极管及其制造方法、电子元件。
技术介绍
1、光电二极管探测器通过吸收入射光子，产生的光生载流子，并由空间电荷区收集到电极，从而实现光电探测的过程。对于不同波长的光，在硅材料中的吸收深度有很大差异，短波在硅材料中的吸收深度较浅，在表面几百纳米甚至几十纳米以内，而长波吸收深度较深，可达10微米以上。
2、为了提高长波部分的量子效率，需要较厚的外延层，提供更深的吸收深度。在光子被吸收后，会电离产生光生载流子，如果光生载流子产生在空间电荷区，则会随电场漂移至电极被快速收集，而如果光生载流子产生在空间电荷区以外的外延层中，产生的光生载流子则只能先扩散到空间电荷区才能被收集到，而扩散过程比漂移速度要慢很多，在此过程中有概率被外延层中的缺陷等复合掉，造成量子效率的下降。因此，为了提高光生载流子的收集效率，尤其是对于比较厚的外延衬底，通常需要在高阻的外延层上制备器件，以获得宽的空间电荷区。
3、但是宽的空间电荷区会带来的一个问题是暗电流的增大，而这对光电探测器的性能是非常不利的。
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【技术保护点】
1.用于制造光电二极管的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于制造光电二极管的方法，其中，所述外延层(2)具有第一区域、第二区域及第三区域，所述调节结构(3)位于所述第二区域；
3.根据权利要求2所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
4.根据权利要求2所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
5.光电二极管，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的光电二极管，其中，所述外延层(2)具有第一区域、第二区域及第三区域，所述调节结构(3)位于所述第二区域；
7.根据权...
【技术特征摘要】
1.用于制造光电二极管的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于制造光电二极管的方法，其中，所述外延层(2)具有第一区域、第二区域及第三区域，所述调节结构(3)位于所述第二区域；
3.根据权利要求2所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
4.根据权利要求2所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
5.光电二极管，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的光电二极管，其中，所述外延层(2)具有第一区域、第二区域及第三区...
【专利技术属性】
技术研发人员：司华青，施长治，闫旭亮，陈年域，
申请(专利权)人：上海联影微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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