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本公开涉及光电二极管及其制造方法、电子元件。用于制造光电二极管的方法包括：形成延伸入外延层的调节结构，调节结构包括间隔设置的多个调节区，外延层具有第一掺杂类型，调节区具有第一掺杂类型，调节区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；及形成延伸入调节结...
该专利属于上海联影微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海联影微电子科技有限公司授权不得商用。

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