【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及光电二极管及其制造方法、电子元件。
技术介绍
1、图像传感器中常使用光电二极管进行光电信号转化。光电二极管在工作中可能产生暗电流，这会影响所需的电信号。光电二极管的暗电流会受结区面积、耗尽区宽度、表面态、界面态及半导体材料的缺陷密度等各种因素的影响。
2、为了消减暗电流，一些技术路线中采用全耗尽型二极管结构，但是，全耗尽结构对于半导体外延材料参数有特殊要求。全耗尽型结构的技术路线需要专门调节或定制半导体外延材料掺杂浓度，对于制造厂来说需要较高的工艺研发成本投入，而且最终的暗电流水平也未必能达到实际的器件指标要求。
3、一些技术路线中通过钉扎结构来抑制暗电流，并可降低寄生结电容。但是随着图像传感器的发展，一些具有超大感光区的光电二极管中，仅靠钉扎结构已经不能满足超低暗电流的指标要求。尽管可以通过减小耗尽区的宽度来抑制暗电流，但是这将影响器件的光量子效率及响应度性能。
4、目前面临着难以在保证光量子效率的情况下，降低暗电流的问题。
技术实现思路>
1、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.用于制造光电二极管的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
3.根据权利要求2所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
4.根据权利要求1所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
5.光电二极管，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的光电二极管，其中，还包括堆叠于所述第一介质部(21)的收集导电区(32)；
7.根据权利要求6所述的光电二极管，其中，还包括第一电极(61)、第二电极(62)、第一增透膜(7)及第一钝化层(8)
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【技术特征摘要】
1.用于制造光电二极管的方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
3.根据权利要求2所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
4.根据权利要求1所述的用于制造光电二极管的方法，其中，还包括：
5.光电二极管，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的光电二极管，其中，还包括堆叠于所述第一介质部(21)的收集导电区(32)；
7.根据权利要求6所述的光电二极管，其中，还包括第一电极(61)、第二电极(62)、第...
【专利技术属性】
技术研发人员：施长治，司华青，陈年域，
申请(专利权)人：上海联影微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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