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本申请涉及光电二极管及其制造方法、电子元件。该方法包括：形成堆叠于第一介质部的光生少子收集区，其中，第一介质部具有第一导电类型，光生少子收集区具有第二导电类型，光生少子收集区具有至少一个网孔区域；以及形成覆盖光生少子收集区的钉扎层，钉扎层具...
该专利属于上海联影微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海联影微电子科技有限公司授权不得商用。

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