【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电子制造与电镀，特别是涉及一种电路制备方法、导电薄膜以及半导体器件。
技术介绍
1、在电镀领域中，遇到图形化多层金属加厚电镀时，电路图形在未有单独的互联通电引线的情况下是难以做到表面布线结构的多层三维包覆，例如在针对抗氧化性能较低的铜互联电镀而言，很容易由于图形布线侧面未形成三维包裹产生可靠性风险，最终导致图形线路失效。
2、随着各种基片表面金属互联需求量越来越高，其相对成本越来越低，铜、镍基于相对低廉的成本已成为各个行业基片表面布线的首选材料，由于铜、镍具有很低的抗氧化性能，要保证电路的长期可靠性，铜、镍表面须进行涂布保护层。目前各行各业抗氧化性方式多种多样，其中为了保证高可靠性和相对低成本的情况下，传统技术一般采取电镀的方式进行铜、镍布线的表面保护。
3、传统技术中通过电镀方式进行铜或镍互联表面完全包覆保护的方案是采取单独引线方式进行互通电镀保护铜或镍后，再对该引线进行去除，而引线部分虽然比较细，但是引线端口还是没有包裹，有些图形由于线缝较细不能形成图形对位包裹，最终导致工序长，可靠性低的风险。p>
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【技术保护点】
1.一种电路制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的电路制备方法，其特征在于，所述基片（100）包括陶瓷基片、硅片、绝缘基片或者半导体基片，所述陶瓷基片包括氧化铝陶瓷基片、氮化铝陶瓷基片，所述半导体基片包括太阳能电池片。
3.根据权利要求1所述的电路制备方法，其特征在于，具有粘附金属膜层（200）的基片（100）采用如下步骤制备：采用清洗剂对所述基片（100）进行清洗除去表面污染物，所述清洗剂包括氢氟酸、盐酸与纯水，其中，氢氟酸、盐酸与纯水的体积为2~5mL:2~5mL:100mL；
4.根据权利要求1所述的电...
【技术特征摘要】
1.一种电路制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的电路制备方法，其特征在于，所述基片（100）包括陶瓷基片、硅片、绝缘基片或者半导体基片，所述陶瓷基片包括氧化铝陶瓷基片、氮化铝陶瓷基片，所述半导体基片包括太阳能电池片。
3.根据权利要求1所述的电路制备方法，其特征在于，具有粘附金属膜层（200）的基片（100）采用如下步骤制备：采用清洗剂对所述基片（100）进行清洗除去表面污染物，所述清洗剂包括氢氟酸、盐酸与纯水，其中，氢氟酸、盐酸与纯水的体积为2~5ml:2~5ml:100ml；
4.根据权利要求1所述的电路制备方法，其特征在于，所述电路制备方法还满足下述条件中的至少一种：
5.根据权利要求1所述的电路制备方法，其特征在于，所述电路制备方法还满足下述条件中的至少一种：
6.根据权利要求1~5任意一项所述的电路制备方法，其特征在于， 在所述导体薄膜层（300）上制备图形化的掩膜层（400）时，包括如下步骤：
7.根据权利要求1~5任意一项所述的电路制备方法，其特征在于，对具有所述掩膜层（400）的所述导体薄膜层（300）进行第一电镀处理形成电镀膜层（500）时，具体包括如下步骤：
8.根据权利要求7所述的电路制备方法，其特征在于，进行第一电镀处理时，满足下述条件的至少一种：
9.根据权利要求1~5、8任意一项所述的电路制备方法，其特征在于，所述第一电镀处理时，将所述基片（100）置于镀铜液或镀镍液中，在电流密度0.5a/dm2~15 a/dm2下进行选择性电镀，电镀时间为30s~200s，所述电镀膜层（500）的厚度为2μm~15μm，电镀结束后，采用高纯水清洗至少60s后干燥处理。
10.根据权利要求1~5、8任意一项所述的电路制备方法，其特征在于，在所述电镀膜层（500）上进行第二电镀处理形成第一保护膜层（600）时，具体包括如下步骤：
11.根据权利要求10所述的电路制备方法，其特征在于，进行第二电镀处理时，满足下述条件的至少一种：
12.根据权利要求1~5、8、11任意一项所述的电路制备方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：程吉霖，孟夏杰，余斌，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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