一种薄芯片翘曲矫正方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种薄芯片翘曲矫正方法及系统，属于半导体封装技术领域。先建立正面等效介质层Si翘曲仿真模型，获取Si层厚度达到目标值时芯片翘曲值，在正面等效介质层Si翘曲仿真模型中将目标晶圆Si层设置目标减薄厚度，在Si层另一面增加Si背面矫正介质层等效翘曲仿真模型，通过修正介质层厚度使得目标晶圆翘曲达到目标要求值，记录仿真模型中介质层厚度，在实际工艺中按照仿真参数制备相应厚度的介质层进行晶圆翘曲的矫正，通过此方法可以改善薄晶圆或芯片的翘曲值，使之适用于不同工艺条件的翘曲要求，提高工艺普适性和产品产出良率。因此，本发明专利技术提出的方法不影响模组的堆叠高度，增加了堆叠存储器的模组容量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于先进电子封装，涉及一种薄芯片翘曲矫正方法及系统。

技术介绍

1、晶圆减薄翘曲是指在晶圆加工中，将晶圆的厚度减薄后，由于加工过程中的应力和材料性质的影响，导致晶圆整体或局部出现弯曲或翘曲的现象。晶圆减薄翘曲的危害主要表现在以下几个方面：影响芯片质量：晶圆减薄翘曲会导致芯片形状失真，从而影响芯片的几何尺寸和电学性能，最终影响芯片的可靠性和性能。影响封装工艺：晶圆减薄翘曲会导致芯片与封装基板之间的接触不良或间隙过大，从而影响封装过程的成功率和质量。影响晶圆切割：晶圆减薄翘曲会导致切割刀与晶圆的接触不均匀，从而影响切割的质量和精度，最终影响芯片的尺寸和性能。影响生产成本：晶圆减薄翘曲会导致加工失败率增加，从而增加生产成本和浪费，因为需要更多的晶圆来补偿损失。因此，在晶圆减薄过程中，需要控制减薄的良率，尽量避免晶圆减薄翘曲的发生。具体的方法包括优化加工参数、改进加工工艺和使用新的材料等。此外，在晶圆减薄过程中，需要加强对晶圆的质量检查和控制，及时发现和处理减薄翘曲的问题，保证芯片质量和生产效率。晶圆翘曲是半导体制造过程中常见的问题，它会导致晶圆表面平整本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，采用介质层薄膜等效正面等效介质层Si翘曲仿真模型的晶圆表面有源层和钝化层；

3.根据权利要求2所述的薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，介质层薄膜材料为有机介质或无机介质。

4.根据权利要求2所述的薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，介质层薄膜为单一介质层和/或组合介质层。

5.根据权利要求1所述的薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，获得Si层厚度达到目标值时芯片翘曲值的方法如下：

6.根据权利要求5所述的薄芯片翘曲矫正方法，其特...

【技术特征摘要】

1.一种薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，采用介质层薄膜等效正面等效介质层si翘曲仿真模型的晶圆表面有源层和钝化层；

3.根据权利要求2所述的薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，介质层薄膜材料为有机介质或无机介质。

4.根据权利要求2所述的薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，介质层薄膜为单一介质层和/或组合介质层。

5.根据权利要求1所述的薄芯片翘曲矫正方法，其特征在于，获得si层厚度达到目标值时芯片翘曲值的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈新鹏，李宝霞，姚华，武洋，何亨洋，张雨婷，武忙虎，葛一铭，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：