RRAM读取电路以及RRAM读取电路的读取方法技术

本发明专利技术提供一种RRAM读取电路，包括：参考电阻；一侧与参考电阻及RRAM的可变电阻连接，用于对参考电阻及RRAM的可变电阻与自偏置模块之间的通断进行控制的开关模块；一侧与开关模块的另一侧连接，用于在预充电步骤中对自偏置模块与开关模块之间的节点电压进行钳位的自偏置模块；一侧与自偏置模块的另一侧连接，用于通过正反馈将预充电步骤中形成的电流差值进行放大以转化为比较电压的交叉耦合模块；与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对RRAM读取电路进行预充电的预充电模块；以及与交叉耦合模块的另一侧连接，用于对由交叉耦合模块放大得到的比较电压进行比较，并输出比较结果的输出模块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种rram读取电路以及rram读取电路的读取方法。

技术介绍

1、阻变随机存储器(rram；resistive random access memory)是一种以非导性材料的电阻在外加电场的作用下在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的新兴的非挥发性存储技术。它具有静态随机存储器的高速读写能力、动态随机存储器的高集成度，并且基本上可以实现无限次的数据写入。在施加不同电压条件后，rram能表现出高低两种阻态并且能在断电后永久地保留存储数据。rram当前主要应用于iot设备、神经网络和人工智能等领域。在商业化方面，rram主要有两大应用方向——存储应用和存算应用。存储应用上，目前已经有厂商将rram应用于mcu领域；存算一体化上，目前也已经有公司正在尝试基于rram通过存算一体架构实现ai大算力芯片，并将其应用在中心侧与边缘侧的应用场景中。

2、rram存储信息的读取方式是通过将其阻值信号转变为可供外围电路读取的电流或电压信号。现有的一种rram读取电路如图1所示。相同尺寸的晶体管m0、晶体管m1作为开关管，在读使能电压vread拉本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种RRAM读取电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的RRAM读取电路，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的RRAM读取电路，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的RRAM读取电路，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的RRAM读取电路，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的RRAM读取电路，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的RRAM读取电路，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的RRAM读取电路，其特征在于，

9.根据权利要求3至5中任一项所述的RRAM读取...

【技术特征摘要】

1.一种rram读取电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的rram读取电路，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的rram读取电路，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的rram读取电路，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的rram读取电路，其特征在于，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的rram读取电路，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建国，杨宏虎，蒋海军，
申请(专利权)人：张江国家实验室，
类型：发明
国别省市：