一种硅通孔的形成方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种硅通孔的形成方法，具体步骤包括：(1)在硅片表面进行第一次掩膜；(2)通过激光加工在硅片上形成粗通孔；(3)去除第一次掩膜的残留物；(4)再次掩膜，确定精准的通孔位置和尺寸；(5)使用高能离子束对非掩膜区域进行刻蚀；(6)在氧化剂中浸泡去除第二次掩膜残留物。本申请方案将离子束刻蚀和激光通孔技术相结合，可以在保持较高精度的同时，减少刻蚀的加工时间和能量消耗，提高整体加工效率，提高硅通孔的表面质量和平坦度，从而得到理想的硅通孔效果，二次掩膜技术可以进一步提高细节结构的精度和分辨率，在二次掩膜过程中可以对这些问题进行修正，从而得到更加准确和精细的图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种硅通孔的形成方法。

技术介绍

1、硅通孔技术是一种用于在硅基片上形成通孔结构的工艺技术，它可以用于实现不同层之间的电连接、信号传输和3d集成等应用，能够实现高密度的3d集成和可靠的电连接，适用于集成电路、mems器件、led封装、传感器等领域，在提高器件性能和减小封装体积方面具有重要意义，并且可以促进先进封装和系统级封装技术的发展。

2、硅通孔技术的实现方式主要包括湿法蚀刻、干法蚀刻、激光钻孔、电化学腐蚀、电化学沉积、离子束刻蚀等方法，其中，比较常用的方式主要是激光钻孔和离子束刻蚀。现有技术中在使用这两种常用方式时都只会运用单一的技术进行通孔，但每种技术都具有一定的缺陷，激光加工会在通孔周围产生热影响区，可能引起材料畸变导致形状大小不符合预期，而离子束刻蚀因为复杂的工艺流程，加工速度较慢。

技术实现思路

1、针对上述现有技术中的不足，本专利技术提供一种通过二次掩膜将激光通孔和离子束刻蚀相结合的通孔形成方法是很有必要的。

2、本专利技术的目的采用以下技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种硅通孔的形成方法，其特征在于，所述步骤（1）和步骤（4）中，所述光刻技术包括在所述硅片表面涂覆光刻胶后进行预烘烤，曝光后进行后烘烤。

3.根据权利要求2所述的一种硅通孔的形成方法，其特征在于，所述预烘烤时间为10min~20min，预烘烤温度为70~90℃，所述后烘烤时间为60~90min，后烘烤温度为100~120℃。

4.根据权利要求1所述的一种硅通孔的形成方法，其特征在于，所述步骤（2）中，激光为超短脉冲激光。

5.根据权利要求1所述的一种硅通孔的形成方...

【技术特征摘要】

1.一种硅通孔的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种硅通孔的形成方法，其特征在于，所述步骤（1）和步骤（4）中，所述光刻技术包括在所述硅片表面涂覆光刻胶后进行预烘烤，曝光后进行后烘烤。

3.根据权利要求2所述的一种硅通孔的形成方法，其特征在于，所述预烘烤时间为10min~20min，预烘烤温度为70~90℃，所述后烘烤时间为60~90min，后烘烤温度为100~120℃。

4.根据权利要求1所述的一种硅通孔的形成方法，其特征在于，所述步骤（2）中，激光为超短脉冲激光。

5.根据权利要求1所述的一种硅通孔的形成方法，其特征在于，所述步骤（2）中，激光能量的计算公式为：

6.根据权利要求1所述的一种硅通孔的形成方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦庆，余毅，郭同健，何锋赟，张海宇，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：