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本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种硅通孔的形成方法，具体步骤包括：(1)在硅片表面进行第一次掩膜；(2)通过激光加工在硅片上形成粗通孔；(3)去除第一次掩膜的残留物；(4)再次掩膜，确定精准的通孔位置和尺寸；(5)使用高能离子束对非掩膜...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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