【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工，尤其是涉及一种防止窄间隙杂质残留的结构及实施方法。
技术介绍
1、随着半导体产业的飞速发展，对半导体设备加工及表面处理的要求也在日益提高。比如不锈钢腔体表面需要做喷砂、电解抛光、拉丝、钝化等处理，铝合金腔体表面需要做电化学氧化、喷砂、振动打磨等；腔体结构中往往会存在窄间隙位置（窄间隙的存在是因为在结构件连接过程中需要预留配合间隙保证顺利装配）。由于产品在制造过程中，需要经历加工、焊接、表面处理等工序，而这些窄间隙会吸附切削液、电解液、灰尘且难以处理，这些杂质的存在会对后续产品使用表面造成腐蚀影响产品美观，严重的腐蚀会影响产品最终的使用性能和使用寿命，造成经济损失；该专利技术的结构和方法可以有效的防止窄间隙内的切削液、电解液、灰尘等残留。
2、目前的技术主要有高压水枪冲洗、超声波清洗，化学清洗等，这些方法对于窄间隙中的杂质很难彻底的冲洗干净。高压水枪冲洗小间隙时水压冲洗难以浸润到间隙内部，且水压的冲击力大部分被材料本身阻挡，打入缝隙中的压力难以将深层间隙中的杂质带出。超声波洗净用大量的纯水或者通过中和反应的办法，需要长时间的处理并且也难以将内部杂质带出；这些方法都存在需要长时间处理，需要大量水，耗能量大且难以处理干净等缺点。
3、例如在中国专利文献上公开的“一种用于窄间隙多层tig焊层间吹砂清理的方法及装置”，其公告号“cn115213530a”，该方法所用的装置包括：喷枪，高压出气口，走行部，轨道、吹砂机和控制器。喷枪和高压出气口前后布置于吹砂机上，吹砂机通过走行部沿轨道行进，轨
4、上述方案虽利用吹砂机能够对窄间隙环焊缝/直焊缝的层间进行吹扫，但仍无法保证气流能够对窄间隙处的杂质进行完全清除，仍然存在部分顽固杂质难以仅依靠吹扫清理，且对于面积较大的范围，吹扫工作的效率与质量均有所下降。
技术实现思路
1、针对现有技术中仅利用高压水枪冲洗、超声波清洗以及高压气体吹扫无法保证深层间隙内杂质完全被清除的问题，本专利技术提供了一种防止窄间隙杂质残留的结构及实施方法，在焊接的法兰与筒体之间保留清理通道，完成焊接后通过气流与水流配合完成对窄间隙的清理，从而实现对窄间隙的有效清理。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、一种防止窄间隙杂质残留的结构，包括焊接并具有窄间隙的法兰与筒体；
4、所述法兰的端面设置有开孔，所述法兰的内壁设置有连通于开孔的通孔；
5、其中，所述法兰的内壁对应通孔孔口处设置有导向沟槽，导向沟槽侧部设置有焊接坡口；
6、所述筒体的底端与焊接坡口之间设置有内侧焊缝；所述筒体的外壁与法兰的端面之间设置有外侧焊缝。
7、本申请中，窄间隙是指法兰与筒体结合间隙宽度在小于1mm，深度在大于4mm的窄缝隙带。杂质则是指切削液、灰尘、电解抛光液等与产品材质不同的物质。通过开孔与通孔的连通设计，将法兰与筒体之间的窄间隙与外界连通，能够保证法兰与筒体焊接后，依然可以保留在内侧焊缝与外侧焊缝之间的连通，从而便于清洗介质的出入，由此实现窄间隙的快速清理。
8、作为优选，所述法兰端面上呈中心对称设置有至少两处所述开孔，所述开孔的孔口处安装有封闭件。所述开孔作为窄间隙的对外接口，用于清洗介质的顺利出入，其中开孔数量根据法兰尺寸确定，一般情况下，法兰直径在600mm以下的可以布置2处，直径大于600mm的可以增加到4处均布或者8处均布；而封闭件作为开孔的堵口部件，能够在完成清理窄间隙的工作后将对外接口进行封闭。
9、作为优选，所述开孔的孔口处设置有内螺纹，所述封闭件可通过内螺纹与开孔连接。所述封闭件可以通过螺纹连接的方式与开孔连接，从而保证开孔能够被完全封闭，避免清理后杂质再次进入窄间隙。
10、作为优选，所述导向沟槽的截面可为三角形/半弧形/梯形。导向沟槽可根据法兰材质，规格，使用场景进行适应性选择。其中三角形结构易加工成型，清理后结构不易残留杂质；而半弧形与梯形能够提升焊缝填充体积，从而提升焊接强度，各种截面的导向沟槽各有优劣，可根据具体情况进行选择。
11、进一步的，所述外部焊缝包括沿筒体周向分布的若干断焊焊段，所述法兰的内壁与筒体的外壁间形成有所述窄间隙。采用断焊技术对筒体外周与法兰内壁进行焊接时，可以使焊缝焊接均匀，减少焊接变形和热裂纹的产生，同时提高生产效率，降低焊接成本。
12、作为优选，所述内部焊缝为沿筒体底端环绕设置的环形闭环焊缝，所述内部焊缝填充焊接坡口。内部焊缝作为筒体与法兰的主要接合处，采用连续焊接有利于提高焊接质量和底材保护，在焊接时可通过焊料将焊接坡口全部填充并保证筒体与法兰稳定连接。
13、本申请还公开了一种防止窄间隙杂质残留的实施方法，针对上述权利要求1-6中所述的窄间隙，其特征在于，包括以下步骤：
14、s1：将法兰端面的开孔分为对称设置的a组孔与b组孔；将a组孔与b组孔分别连接输入管；
15、s2：向a组孔通入清洗水，b组孔保持与大气连通；持续时间5-10分钟；
16、s3：向a组孔保持通入清洗水，向b组孔间歇通入清洗水，通入频率为5-10次/分钟；持续时间5-10分钟；
17、s4：向a组孔同时通入清洗水与压缩气流，b组孔保持与大气连通；持续时间5-10分钟；
18、s5：向a组孔与b组孔同时通入压缩气流；持续时间5-10分钟；
19、s6：拆除a组孔与b组孔上连接的输入管，实用封闭件封堵所有开孔。
20、本方法中，将开孔分为相对的两组，并通过对两组对称分布的开孔分别通入不同的清洗介质来进行窄间隙清理。具体来说，当a组孔通入清洗水时，由于b组孔保持畅通，因此清洗水能够在流过整个窄间隙后由b组孔排出，以此完成对窄间隙的污渍、杂质进行首次流体清洗；而后续利用对冲水流与水气混合介质分别清洗，进一步清洗窄间隙内的顽固污渍，最后通过压缩气流完成水体吹扫，实现窄间隙的有效清洁。
21、作为优选，s2中向a组孔通入的清洗水压力为0.6mpa-1.0mpa。采用中压水流能够对窄间隙进行有效冲刷清洗，避免顽固杂质的残留。
22、因此，本专利技术具有如下有益效果：（1）在焊接的法兰与筒体之间保留清理通道，完成焊接后通过气流与水流配合完成对窄间隙的清理，从而实现对窄间隙的有效清理；（2）根据法兰规格选择合适数目的开孔，确保后续清洗工作能够全面且高效的覆盖清洗；（3）采用断焊技术对筒体外周与法兰内壁进行焊接时，可以使焊缝焊接均匀，减少焊接变形和热裂纹的产生，同时提高生产效率，降低焊接成本。
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1.一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于：包括焊接并具有窄间隙的法兰与筒体；
2.根据权利要求1所述的一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于，所述法兰端面上呈中心对称设置有至少两处所述开孔，所述开孔的孔口处安装有封闭件。
3.根据权利要求2所述的一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于，所述开孔的孔口处设置有内螺纹，所述封闭件可通过内螺纹与开孔连接。
4.根据权利要求3所述的一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于，所述导向沟槽的截面可为三角形/半弧形/梯形。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于，所述外部焊缝包括沿筒体周向分布的若干断焊焊段，所述法兰的内壁与筒体的外壁间形成有所述窄间隙。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于，所述内部焊缝为沿筒体底端环绕设置的环形闭环焊缝，所述内部焊缝填充焊接坡口。
7.一种防止窄间隙杂质残留的实施方法，针对上述权利要求1-6中所述的窄间隙，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据
...【技术特征摘要】
1.一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于：包括焊接并具有窄间隙的法兰与筒体；
2.根据权利要求1所述的一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于，所述法兰端面上呈中心对称设置有至少两处所述开孔，所述开孔的孔口处安装有封闭件。
3.根据权利要求2所述的一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于，所述开孔的孔口处设置有内螺纹，所述封闭件可通过内螺纹与开孔连接。
4.根据权利要求3所述的一种防止窄间隙杂质残留的结构，其特征在于，所述导向沟槽的截面可为三角形/半弧形/梯形。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹小雄，谢如应，任雪堂，刘家鑫，陈雪锋，
申请(专利权)人：杭州大和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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