【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种焊接技术，更具体地说，它涉及一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法。
技术介绍
1、随着半导体产业的飞速发展，对半导体设备加工及表面处理的要求也在日益提高。铝合金腔体表面需要做电化学氧化、喷砂、振动打磨、酸洗等。铝合金腔体结构往往由氩弧焊焊接方式连接组成，由于铝合金在焊接过程中容易吸氢、吸氧，造成铝合金焊缝中容易出现气孔缺陷。腔体加工中，由于设计需要会对部分焊缝进行切削或者焊缝打磨等要求，如此会导致焊缝中的气孔暴露，影响焊缝性能和产品外观；传统方法需要对气孔进行氩弧焊补焊作业，由于对焊缝进行补焊操作，会导致后期腔体表面在进行电化学氧化、酸洗、电抛、钝化、氧化等表面处理工序时，焊缝表面补焊位置会出现严重的色差，导致产品外观报废，造成经济损失。
技术实现思路
1、为了克服上述不足，本专利技术提供了一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，它规避了加丝补焊，可以使焊缝在后期表面处理后，焊缝颜色一致性较好。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，包括以下步骤：
3、s1，对铝腔体焊缝表面去材料加工；去材料加工后未出现气孔，则进行s3；去材料加工后出现气孔，则进行s2；
4、s2，对出现气孔的焊缝区域进行搅拌摩擦焊消孔，消除气孔；
5、s3，对焊缝进行去毛刺加工。
6、焊缝气孔返修时，先对焊缝表面进行去材料加工，去材料加工后查看焊缝表面是否有气孔，如果没有气孔就可以直接进行
7、本专利技术的半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法规避了加丝补焊，可以使焊缝在后期表面处理后，焊缝颜色一致性较好。
8、作为优选，s1之前，先评估焊缝表面去材料加工深度，如果焊缝表面去材料加工深度大于1mm，则对焊缝表面进行搅拌摩擦焊补焊。
9、对于焊缝表面去材料加工深度大于1mm的焊缝表面先进行一次搅拌摩擦焊补焊，在该过程中再次对氩弧焊焊缝进行搅拌摩擦焊补焊，可以减少氩弧焊焊缝中的气孔。
10、作为优选，s1之前，确定焊缝表面去材料加工的位置和长度范围。
11、先确定加工位置和范围，保证加工位置的精准性。
12、作为优选，s2时搅拌摩擦焊消孔的焊接直径是气孔直径的4-6倍。
13、搅拌摩擦焊消孔的焊接直径大，确保能够消除气孔。
14、作为优选，搅拌摩擦焊补焊时，将焊缝区域分为进入区，去材焊缝区，离开区，不去材加工焊缝区；进入区为搅拌摩擦焊补焊开始的地方，该区域距离去材焊缝区的头部为10-20mm；去材焊缝区为需要搅拌摩擦焊的区域，若去材加工量为n毫米，则搅拌摩擦焊的有效深度为n+1毫米；离开区距离去材焊缝区尾部为10-20mm。
15、搅拌摩擦焊补焊时对焊缝区域进行分区，便于搅拌焊接头精准定位到去材焊缝区进行操作。
16、作为优选，s2搅拌摩擦焊消孔时，焊缝区域分为进入区，焊缝气孔区，离开区；焊缝气孔区从左边第一个气孔开始到右边最后一个气孔两边各加工5mm的焊缝区域；进入区为搅拌摩擦焊消孔开始的地方，进入区由焊缝气孔区最左边第一个气孔加8-10mm组成，当搅拌焊接头进入焊缝气孔区时稳定转速与进给速度进行搅拌摩擦焊消孔；离开区是搅拌摩擦焊消孔结束的地方，离开区由焊缝气孔区最右边第一个气孔加8-10mm组成，搅拌焊接头进入离开区后逐渐抬起，完成搅拌摩擦焊消孔作业。
17、搅拌摩擦焊消孔时对焊缝区域进行分区，使搅拌焊接头能够精准移动到焊缝气孔区进行消孔操作。
18、作为优选，搅拌摩擦焊消孔的焊接深度为2-3mm。
19、搅拌摩擦焊消孔的焊接深度合适，确保气孔能够完全消除。
20、作为优选，搅拌焊接头转速在进入区逐渐增大，在离开区逐渐减小。
21、在进入焊缝气孔区之前将搅拌焊接头转速逐渐增大到稳定值，使搅拌焊接头在焊缝气孔区时有稳定转速与进给速度进行搅拌摩擦焊消孔。在离开去时，搅拌焊接头减速抬起，完成消孔作业。
22、作为优选，s3之后，对产品进行表面处理。
23、焊缝返修完成后，对产品表面进行酸洗、氧化、电解抛光、钝化等工序，提高产品品质。
24、作为优选，搅拌摩擦焊补焊和搅拌摩擦焊消孔过程中，搅拌焊接头的前方设置喷火加热头，喷火加热头对焊缝区喷火加热，焊缝区经过喷火加热后再进行搅拌摩擦焊补焊或搅拌摩擦焊消孔。
25、喷火加热头对焊缝进行加热，有利于提高搅拌摩擦焊补焊和搅拌摩擦焊消孔的效果。
26、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：（1）本专利技术的半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法规避了加丝补焊，可以使焊缝在后期表面处理后，焊缝颜色一致性较好；（2）对于焊缝表面去材料加工深度大于1mm的焊缝表面先进行一次搅拌摩擦焊补焊，在该过程中再次对氩弧焊焊缝进行搅拌摩擦焊补焊，可以减少氩弧焊焊缝中的气孔。
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1.一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，S1之前，先评估焊缝表面去材料加工深度，如果焊缝表面去材料加工深度大于1mm，则对焊缝表面进行搅拌摩擦焊补焊。
3.根据权利要求1所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，S1之前，确定焊缝表面去材料加工的位置和长度范围。
4.根据权利要求1所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，S2时搅拌摩擦焊消孔的焊接直径是气孔直径的4-6倍。
5.根据权利要求2所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，搅拌摩擦焊补焊时，将焊缝区域分为进入区，去材焊缝区，离开区，不去材加工焊缝区；进入区为搅拌摩擦焊补焊开始的地方，该区域距离去材焊缝区的头部为10-20mm；去材焊缝区为需要搅拌摩擦焊的区域，若去材加工量为N毫米，则搅拌摩擦焊的有效深度为N+1毫米；离开区距离去材焊缝区尾部为10-20mm。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征
7.根据权利要求6所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，搅拌摩擦焊消孔的焊接深度为2-3mm。
8.根据权利要求6所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，搅拌焊接头转速在进入区逐渐增大，在离开区逐渐减小。
9.根据权利要求1所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，S3之后，对产品进行表面处理。
10.根据权利要求2所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，搅拌摩擦焊补焊和搅拌摩擦焊消孔过程中，搅拌焊接头的前方设置喷火加热头，喷火加热头对焊缝区喷火加热，焊缝区经过喷火加热后再进行搅拌摩擦焊补焊或搅拌摩擦焊消孔。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，s1之前，先评估焊缝表面去材料加工深度，如果焊缝表面去材料加工深度大于1mm，则对焊缝表面进行搅拌摩擦焊补焊。
3.根据权利要求1所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，s1之前，确定焊缝表面去材料加工的位置和长度范围。
4.根据权利要求1所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，s2时搅拌摩擦焊消孔的焊接直径是气孔直径的4-6倍。
5.根据权利要求2所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，搅拌摩擦焊补焊时，将焊缝区域分为进入区，去材焊缝区，离开区，不去材加工焊缝区；进入区为搅拌摩擦焊补焊开始的地方，该区域距离去材焊缝区的头部为10-20mm；去材焊缝区为需要搅拌摩擦焊的区域，若去材加工量为n毫米，则搅拌摩擦焊的有效深度为n+1毫米；离开区距离去材焊缝区尾部为10-20mm。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的一种半导体级铝腔体焊缝气孔返修方法，其特征是，s2搅拌摩擦焊消孔时，焊缝...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹小雄，刘金东，李天普，谢如应，金红新，
申请(专利权)人：杭州大和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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