【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容器，具体是涉及一种提高mlcc切割对位精度的识别结构。
技术介绍
1、在mlcc加工过程中，空白陶瓷膜片和印刷有内电极图形的陶瓷膜片，经过多层堆叠并等静压，形成mlcc的生坯，生坯经过切割后，产出生坯芯片。
2、随着mlcc尺寸小型化趋势，作为陶瓷介质的陶瓷膜片也越来越薄，伴随而来的是对加工精度的更高要求，其中，通过印刷形成、用于切割对位的识别结构，对生坯芯片的内电极结构有很大影响。
3、印刷有图形的陶瓷膜片在堆叠时，膜片会受到压合装置的压力，因为印刷图形部分的厚度较未印刷部分厚，因此，堆叠印刷有电极图形膜片时，压力主要集中在印刷图形上。现有技术中，单位面积内，识别结构的图形面积比内电极结构图形面积小，识别结构受到的压力更大、更集中，常出现歪斜现象，若按照歪斜的识别结构切割，切后的生坯芯片会出现内电极偏移现象。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本专利技术实施例的目的在于提供一种提高mlcc切割对位精度的识别结构，以解决上述
技术介绍
中的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种提高mlcc切割对位精度的识别结构，包括切割识别结构，所述切割识别结构的一侧设置有内电极结构，还包括：
4、陶瓷膜片，所述切割识别结构以及所述内电极结构设置在所述陶瓷膜片一侧，所述陶瓷膜片用于承载切割识别结构以及所述内电极结构。
5、作为本专利技术进一步的方案，所述切割识别结构采用交错式结
6、作为本专利技术进一步的方案，所述承载切割识别结构采用大面积结构。
7、作为本专利技术进一步的方案，所述承载切割识别结构印刷面积与所述内电极结构印刷面积一致。
8、作为本专利技术进一步的方案，所述承载切割识别结构压力与所述内电极结构压力一致。
9、作为本专利技术进一步的方案，多组所述陶瓷膜片采用堆叠设置。
10、作为本专利技术进一步的方案，所述切割识别结构的识别形式为识别未印刷图形部分。
11、综上所述，本专利技术实施例与现有技术相比具有以下有益效果：
12、本专利技术通过增加印刷面积，并采用交错形式，能够避免堆叠时切割识别结构出现歪斜，提高切割对位精度的切割识别结构。
13、为更清楚地阐述本专利技术的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本专利技术进行详细说明。
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1.一种提高MLCC切割对位精度的识别结构，包括切割识别结构，所述切割识别结构的一侧设置有内电极结构，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的提高MLCC切割对位精度的识别结构，其特征在于，所述切割识别结构采用交错式结构。
3.根据权利要求1所述的提高MLCC切割对位精度的识别结构，其特征在于，所述承载切割识别结构采用大面积结构。
4.根据权利要求1所述的提高MLCC切割对位精度的识别结构，其特征在于，所述承载切割识别结构印刷面积与所述内电极结构印刷面积一致。
5.根据权利要求1所述的提高MLCC切割对位精度的识别结构，其特征在于，所述承载切割识别结构压力与所述内电极结构压力一致。
6.根据权利要求1所述的提高MLCC切割对位精度的识别结构，其特征在于，多组所述陶瓷膜片采用堆叠设置。
7.根据权利要求2所述的提高MLCC切割对位精度的识别结构，其特征在于，所述切割识别结构的识别形式为识别未印刷图形部分。
【技术特征摘要】
1.一种提高mlcc切割对位精度的识别结构，包括切割识别结构，所述切割识别结构的一侧设置有内电极结构，其特征在于，还包括：
2.根据权利要求1所述的提高mlcc切割对位精度的识别结构，其特征在于，所述切割识别结构采用交错式结构。
3.根据权利要求1所述的提高mlcc切割对位精度的识别结构，其特征在于，所述承载切割识别结构采用大面积结构。
4.根据权利要求1所述的提高mlcc切割对位精度的识别结构，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵文辉，董贤礼，刘圣亮，张丹，侯少星，
申请(专利权)人：北京元六鸿远电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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