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本发明公开了一种提高MLCC切割对位精度的识别结构，属于电容器技术领域，解决了现有单位面积内，识别结构的图形面积比内电极结构图形面积小，识别结构受到的压力更大、更集中，常出现歪斜现象，若按照歪斜的识别结构切割，切后的生坯芯片会出现内电极偏移...
该专利属于北京元六鸿远电子科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京元六鸿远电子科技股份有限公司授权不得商用。

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