去驻极体层电容式麦克风制造技术

本发明专利技术公开了一种去驻极体层电容式麦克风，它包括：电容体结构、驱动芯片、声音通道、金属连接矮环、振膜、绝缘隔离环、气隙、背极板、气隙排气口、金属连接高环、金属外壳、印刷电路板、隔直电容、偏置电阻、电荷泵、驱动偏置芯片。本发明专利技术由于去除了驻极体层，因此相比传统驻极体电容式麦克风，具有可靠性高、质量稳定、耐久性好、性能不受温湿度和时间的影响、耐热性强，可承受２６０℃的高温回流焊而灵敏度不会有任何变化的技术特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种去驻极体层电容式麦克风，其特征在于，它包括：驱动芯片（２）、声音通道（３）、金属连接矮环（４）、振膜（５）、绝缘隔离环（６）、气隙（７）、背极板（９）、金属连接高环（１１）、金属外壳（１２）、印刷电路板（１３）、隔直电容（１５）、偏置电阻（１６）、电荷泵（１７）、驱动偏置芯片（１８）。其中，所述振膜（５）的一面通过绝缘隔离环（６）与背极板（９）相隔离，在振膜（５）与背极板（９）之间形成气隙（７），振膜（５）、绝缘隔离环（６）、气隙（７）和背极板（９）组成电容体结构（１４）。驱动偏置芯片（１８）包括驱动芯片（２）、偏置电阻（１６）和电荷泵（１７），偏置电阻（１６）和电荷泵（１７）彼此相连。金...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈锋，奚剑雄，
申请(专利权)人：杭州硅星科技有限公司，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]