【技术实现步骤摘要】
本技术涉及真空镀膜设备，尤其涉及一种磁控溅射装置。
技术介绍
1、磁控溅射是物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)的一种，一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。现有技术中主要应用的平面矩形磁控溅射阴极和平面圆形磁控溅射阴极，其共同特征为内部提供的磁场为固定磁场，溅射过程中磁场与电场作用下溅射的区域固定为一个环形跑道状，靶材的消耗在此固定的环形区域进行呈v型或u型向下消耗，靶材实际利用率低，通常在25％～40％。其最大的缺点为上述2种磁控溅射阴极装置的实际溅射区域为非常细小的环型跑道，有效率低，实际应用时需要将进行设计在一个围绕磁控溅射阴极做直线运动或圆周运动的空间进行，依靠多次经过溅射区形成所需要膜层厚度，因此实际应用的设备占用空间大，设备结构复杂。
2、因此，有必要提供一种磁控溅射装置，克服靶材利用率低，有效溅射区域小，沉积速率低，设备结构复杂占用空间大的
【技术保护点】
1.一种磁控溅射装置，其特征在于：包括真空箱(2)、抽真空组件(3)和第二驱动装置(9)，所述真空箱(2)内设有用于放置基片的基片载具(5)，所述第二驱动装置(9)的输出端连接旋转盘(10)，所述旋转盘(10)的下方固定有磁铁座(11)，所述磁铁座(11)固定有磁铁，所述真空箱(2)连接有阴极板(12)和阳极板(14)，所述阴极板(12)的下方设有靶材(13)，所述靶材(13)位于所述基片载具(5)的上方，所述磁铁座(11)和所述阳极板(14)位于所述阴极板(12)的上方，所述抽真空组件(3)用于对所述真空箱(2)内部抽真空。
2.根据权利要求1所述的一种...
【技术特征摘要】
1.一种磁控溅射装置，其特征在于：包括真空箱(2)、抽真空组件(3)和第二驱动装置(9)，所述真空箱(2)内设有用于放置基片的基片载具(5)，所述第二驱动装置(9)的输出端连接旋转盘(10)，所述旋转盘(10)的下方固定有磁铁座(11)，所述磁铁座(11)固定有磁铁，所述真空箱(2)连接有阴极板(12)和阳极板(14)，所述阴极板(12)的下方设有靶材(13)，所述靶材(13)位于所述基片载具(5)的上方，所述磁铁座(11)和所述阳极板(14)位于所述阴极板(12)的上方，所述抽真空组件(3)用于对所述真空箱(2)内部抽真空。
2.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置，其特征在于：所述真空箱(2)底部设有底架(1)。
3.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置，其特征在于：所述真空箱(2)前侧设有箱门。
4.根据权利要求1所述的一种磁控溅射装置，其特征在于：所述真空箱(2)包括顶板(16)，所述顶板(16)设有开口，所述靶材(13)安装于所述阴极板(12)上，所述阴极板(12)通过绝缘隔板(15)连接所述阳极板(14)，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：周俊金，周康，林启隆，
申请(专利权)人：深圳隆友德科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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