【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于材料检测，具体是指一种用于半导体封装材料检测设备。
技术介绍
1、在半导体封装材料的生产和应用过程中，对其质量和性能进行准确和可靠的检测是至关重要的。目前已存在一些用于半导体封装材料检测的设备和方法，但存在一些挑战和限制。传统的检测设备可能需要复杂的操作步骤和专业技能，此外，传统的检测设备可能过于昂贵，使其在生产环境中的广泛应用受到限制。
2、因此，有需要提供一种操作简单、快速、准确的半导体封装材料检测设备。
技术实现思路
1、针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种操作简单、快速、准确的用于半导体封装材料检测设备，通过抗氧化性能检测机构，观察样品的颜色变化、重量变化和结构变化，可以定性和定量评估半导体封装材料的抗氧化性能，通过记录和分析数据，可以获得关于样品氧化程度、质量损失和结构变化的信息，从而评价材料的抗氧化性能，该方案操作简单，可快速评估大量样品的抗氧化性能，为材料的质量控制和优化提供依据。
2、本专利技术采取的技术方案如下：本专利技术提供了一种用于半导体封装材料检测设备，包括检测主体、方位调整机构、抗氧化性能检测机构和物理性测试机构，所述抗氧化性能检测机构设于检测主体内，所述物理性测试机构设于抗氧化性能检测机构的右侧，所述方位调整机构设于抗氧化性能检测机构的上端；所述抗氧化性能检测机构包括样品安置组件、氧化环境保持组件、内循环加热组件和气压平衡组件，所述样品安置组件设于检测主体内，所述氧化环境保持组件设于检测主体的左侧
3、进一步地，所述检测主体包括检测台、检测架、基座、挡板一、显微镜和电子秤，所述检测台设于检测主体的下端，所述检测架设于检测台的上端，所述基座设于检测台上，所述挡板一设于基座的上端，所述显微镜设于方位调整机构上，所述电子秤设于基座内。
4、进一步地，所述样品安置组件包括检测箱、盖子、架板、通风孔、样品筒和支撑网，所述检测箱设于电子秤上，所述盖子可拆卸设于检测箱上，所述架板设于检测箱内，所述通风孔设于架板上，所述样品筒设于架板上，所述支撑网设于架板内。
5、进一步地，所述氧化环境保持组件包括低浓度氧气存储罐、电子阀门一、输出管一和波纹管一，所述低浓度氧气存储罐设于检测架上一侧，所述输出管一的一端贯通设于低浓度氧气存储罐的输出端，所述电子阀门一设于输出管一上，所述波纹管一的一端设于输出管一的另一端，所述波纹管一的另一端贯通设于检测箱的外侧壁上。
6、进一步地，所述内循环加热组件包括风扇、进风筒和加热环，所述进风筒套接设于架板上，所述风扇设于进风筒的内部上端，所述加热环设于进风筒的内部下端。
7、进一步地，所述气压平衡组件包括收集箱、出气管、挡板二、弹簧一、密封球、出气孔、连接软管和水泵一，所述出气管的一端贯通设于检测箱的左侧壁下端，所述收集箱设于检测台内上端，所述连接软管的一端贯通设于出气管的另一端，所述连接软管的另一端设于收集箱内，所述挡板二设于出气管的内壁上左侧，所述出气孔设于挡板二内，所述弹簧一的一端设于出气管的内部右端，所述密封球设于弹簧一的另一端，所述水泵一的抽入端贯通设于收集箱的右外侧壁下端，所述水泵一的输出端贯通设于物理性测试机构的下端。
8、进一步地，所述物理性测试机构包括耐久性能检测组件和空化震动组件，所述耐久性能检测组件设于抗氧化性能检测机构的右侧，所述空化震动组件设于耐久性能检测组件上。
9、进一步地，所述耐久性能检测组件包括水箱、水泵二、输出管二、回流管、电子阀门二、电子阀门三、波纹管二和波纹管三，所述水箱设于检测台的上端右侧，所述水泵二的抽入端设于水箱的左外侧壁下端，所述输出管二的一端贯通设于水泵二的输出端，所述电子阀门三设于输出管二上，所述波纹管三的一端贯通设于输出管二的另一端，所述波纹管三的另一端贯通设于检测箱的右外侧壁下端，所述回流管的一端贯通设于水箱的左侧壁上端，所述电子阀门二设于回流管上，所述波纹管二的一端设于回流管的另一端，所述波纹管二的另一端贯通设于检测箱的右外侧壁上端。
10、进一步地，所述空化震动组件包括超声波发生器、固定腔、弹簧二、气泵、连接管和电子阀门四，所述固定腔贯通设于输出管二的下端，所述弹簧二设于固定腔的底壁上，所述超声波发生器设于弹簧二上，所述气泵设于水箱上，所述连接管的一端贯通设于气泵的输出端，所述连接管的另一端贯通设于回流管的左端上侧，所述电子阀门四设于连接管上。
11、进一步地，所述方位调整机构包括滑杆、丝杠、升降气缸、电机、固定块一和固定块二，所述固定块一设于升降气缸的左侧输出端，所述固定块二设于升降气缸的右侧输出端，所述滑杆的一端设于固定块一的侧壁上，所述滑杆的另一端设于固定块二的侧壁上，所述电机设于固定块二的另一侧壁上，所述丝杠的一端转动设于固定块一的侧壁上，所述丝杠的另一端设于电机的输出端，所述显微镜滑动套接设于显微镜上，所述显微镜套接设于丝杠上，所述显微镜和丝杠为啮合转动相连。
12、采用上述结构本专利技术取得的有益效果如下：本专利技术提供了一种用于半导体封装材料检测设备，实现了如下有益效果：
13、(1)为了解决传统的检测设备可能需要复杂的操作步骤和专业技能，此外，传统的检测设备可能过于昂贵，使其在生产环境中的广泛应用受到限制的问题，本专利技术通过抗氧化性能检测机构，观察样品的颜色变化、重量变化和结构变化，可以定性和定量评估半导体封装材料的抗氧化性能。
14、(2)通过抗氧化性能检测机构，通过记录和分析数据，可以获得关于样品氧化程度、质量损失和结构变化的信息，从而评价材料的抗氧化性能。
15、(3)通过抗氧化性能检测机构，可快速评估大量样品的抗氧化性能，为材料的质量控制和优化提供依据。
16、(4)氧化环境保持组件的设置，确保氧化环境，让样品在高温中保持设定的温度和时间，使其发生氧化反应。
17、(5)气压平衡组件的设置，可以保持检测箱在抗氧化性能检测过程中的气压平衡。
18、(6)方位调整机构的设置，方便了对显微镜对样品的观察和记录。
19、(7)为了进一步提高实用性和可推广性，本专利技术提出了物理性测试机构，通过观察材料与水的粘附性，可以评估封装材料的粘附性能，这对于确保封装材料在湿润环境中的粘附可靠性具有重要意义。
20、(8)通过物理性测试机构，观察材料的变形情况，可以推断其弹性性质，这有助于了解封装材料的柔韧性和回弹性。
21、(9)通过物理性测试机构，评估材料在超声波震动下的结构完整性和破裂情况，可以初步判断封装材料的耐久性能。这对于材料在实际应用中的可靠性具有重要意义。
22、(10)通过物理性测试机构，观察材料与水接触时是否发生溶解或分解，可以初步评估材料的水解性。这对于了解封装材料在潮湿环境中的化学稳定性和可靠性具有重要意义。
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1.一种用于半导体封装材料检测设备，包括检测主体(1)和方位调整机构(4)，其特征在于：所述用于半导体封装材料检测设备还包括抗氧化性能检测机构(2)和物理性测试机构(3)，所述抗氧化性能检测机构(2)设于检测主体(1)内，所述物理性测试机构(3)设于抗氧化性能检测机构(2)的右侧，所述方位调整机构(4)设于抗氧化性能检测机构(2)的上端；所述抗氧化性能检测机构(2)包括样品安置组件(11)、氧化环境保持组件(12)、内循环加热组件(13)和气压平衡组件(14)，所述样品安置组件(11)设于检测主体(1)内，所述氧化环境保持组件(12)设于检测主体(1)的左侧，所述内循环加热组件(13)设于样品安置组件(11)内，所述气压平衡组件(14)设于样品安置组件(11)上。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述检测主体(1)包括检测台(5)、检测架(6)、基座(7)、挡板一(8)、显微镜(9)和电子秤(10)，所述检测台(5)设于检测主体(1)的下端，所述检测架(6)设于检测台(5)的上端，所述基座(7)设于检测台(5)上，所述挡板一(8)设
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述样品安置组件(11)包括检测箱(15)、盖子(16)、架板(17)、通风孔(18)、样品筒(19)和支撑网(20)，所述检测箱(15)设于电子秤(10)上，所述盖子(16)可拆卸设于检测箱(15)上，所述架板(17)设于检测箱(15)内，所述通风孔(18)设于架板(17)上，所述样品筒(19)设于架板(17)上，所述支撑网(20)设于架板(17)内。
4.根据权利要求3所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述氧化环境保持组件(12)包括低浓度氧气存储罐(21)、电子阀门一(22)、输出管一(23)和波纹管一(24)，所述低浓度氧气存储罐(21)设于检测架(6)上一侧，所述输出管一(23)的一端贯通设于低浓度氧气存储罐(21)的输出端，所述电子阀门一(22)设于输出管一(23)上，所述波纹管一(24)的一端设于输出管一(23)的另一端，所述波纹管一(24)的另一端贯通设于检测箱(15)的外侧壁上。
5.根据权利要求4所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述内循环加热组件(13)包括风扇(25)、进风筒(26)和加热环(27)，所述进风筒(26)套接设于架板(17)上，所述风扇(25)设于进风筒(26)的内部上端，所述加热环(27)设于进风筒(26)的内部下端。
6.根据权利要求5所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述气压平衡组件(14)包括收集箱(28)、出气管(29)、挡板二(30)、弹簧一(31)、密封球(32)、出气孔(33)、连接软管(34)和水泵一(35)，所述出气管(29)的一端贯通设于检测箱(15)的左侧壁下端，所述收集箱(28)设于检测台(5)内上端，所述连接软管(34)的一端贯通设于出气管(29)的另一端，所述连接软管(34)的另一端设于收集箱(28)内，所述挡板二(30)设于出气管(29)的内壁上左侧，所述出气孔(33)设于挡板二(30)内，所述弹簧一(31)的一端设于出气管(29)的内部右端，所述密封球(32)设于弹簧一(31)的另一端，所述水泵一(35)的抽入端贯通设于收集箱(28)的右外侧壁下端，所述水泵一(35)的输出端贯通设于物理性测试机构(3)的下端。
7.根据权利要求6所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述物理性测试机构(3)包括耐久性能检测组件(36)和空化震动组件(37)，所述耐久性能检测组件(36)设于抗氧化性能检测机构(2)的右侧，所述空化震动组件(37)设于耐久性能检测组件(36)上。
8.根据权利要求7所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述耐久性能检测组件(36)包括水箱(38)、水泵二(39)、输出管二(40)、回流管(41)、电子阀门二(42)、电子阀门三(43)、波纹管二(44)和波纹管三(45)，所述水箱(38)设于检测台(5)的上端右侧，所述水泵二(39)的抽入端设于水箱(38)的左外侧壁下端，所述输出管二(40)的一端贯通设于水泵二(39)的输出端，所述电子阀门三(43)设于输出管二(40)上，所述波纹管三(45)的一端贯通设于输出管二(40)的另一端，所述波纹管三(45)的另一端贯通设于检测箱(15)的右外侧壁下端，所述回流管(41)的一端贯通设于水箱(38)的左侧壁上端，所...
【技术特征摘要】
1.一种用于半导体封装材料检测设备，包括检测主体(1)和方位调整机构(4)，其特征在于：所述用于半导体封装材料检测设备还包括抗氧化性能检测机构(2)和物理性测试机构(3)，所述抗氧化性能检测机构(2)设于检测主体(1)内，所述物理性测试机构(3)设于抗氧化性能检测机构(2)的右侧，所述方位调整机构(4)设于抗氧化性能检测机构(2)的上端；所述抗氧化性能检测机构(2)包括样品安置组件(11)、氧化环境保持组件(12)、内循环加热组件(13)和气压平衡组件(14)，所述样品安置组件(11)设于检测主体(1)内，所述氧化环境保持组件(12)设于检测主体(1)的左侧，所述内循环加热组件(13)设于样品安置组件(11)内，所述气压平衡组件(14)设于样品安置组件(11)上。
2.根据权利要求1所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述检测主体(1)包括检测台(5)、检测架(6)、基座(7)、挡板一(8)、显微镜(9)和电子秤(10)，所述检测台(5)设于检测主体(1)的下端，所述检测架(6)设于检测台(5)的上端，所述基座(7)设于检测台(5)上，所述挡板一(8)设于基座(7)的上端，所述显微镜(9)设于方位调整机构(4)上，所述电子秤(10)设于基座(7)内。
3.根据权利要求2所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述样品安置组件(11)包括检测箱(15)、盖子(16)、架板(17)、通风孔(18)、样品筒(19)和支撑网(20)，所述检测箱(15)设于电子秤(10)上，所述盖子(16)可拆卸设于检测箱(15)上，所述架板(17)设于检测箱(15)内，所述通风孔(18)设于架板(17)上，所述样品筒(19)设于架板(17)上，所述支撑网(20)设于架板(17)内。
4.根据权利要求3所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述氧化环境保持组件(12)包括低浓度氧气存储罐(21)、电子阀门一(22)、输出管一(23)和波纹管一(24)，所述低浓度氧气存储罐(21)设于检测架(6)上一侧，所述输出管一(23)的一端贯通设于低浓度氧气存储罐(21)的输出端，所述电子阀门一(22)设于输出管一(23)上，所述波纹管一(24)的一端设于输出管一(23)的另一端，所述波纹管一(24)的另一端贯通设于检测箱(15)的外侧壁上。
5.根据权利要求4所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述内循环加热组件(13)包括风扇(25)、进风筒(26)和加热环(27)，所述进风筒(26)套接设于架板(17)上，所述风扇(25)设于进风筒(26)的内部上端，所述加热环(27)设于进风筒(26)的内部下端。
6.根据权利要求5所述的一种用于半导体封装材料检测设备，其特征在于：所述气压平衡组件(14)包括收集箱(28)、出气管(29)、挡板二(30)、弹簧一(31)、密封球(32)、出气孔(33)、连接软管(34)和水泵一(35)，所述出气管(29)的一端贯通设于检测箱(15)的左侧壁下端，所述收集箱(28)设于检测台(5)内上端，所述连接软管(34)的一端贯通设于出气管(29)的另一端，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张佳，翟丹，蔡智勇，
申请(专利权)人：江苏汉威电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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