【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种半导体系统和半导体系统的制造和操作方法，并且更具体地，涉及一种用于测量导通电阻的半导体系统及其制造和操作方法。
技术介绍
1、包括直接带隙半导体的组件，例如，包括iii-v族材料或iii-v族化合物(类别：iii-v化合物)的半导体组件由于其特性可以在各种条件下或在各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。
2、半导体组件可以包括异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)、高电子迁移率晶体管(hemt)、调制掺杂fet(modfet)等。
技术实现思路
1、在本公开的一些实施例中，提供一种半导体系统。半导体系统包括钳位电路、第一滤波器、第二滤波器、第一运算放大器(op)和第二op。钳位电路连接到半导体装置的第一端子以防止半导体装置受到干扰。第一滤波器连接到钳位电路。第一op连接到第一滤波器。第一op被配置成差分op以生成第一输出电压，使得测量电阻器两端的压降被排除并测量半导体装置两端的导通状态压降。第二滤波器连接到半导体装置的第二端子。第二op连接到第二滤器。第二op被配置为生成第二输出电压，以便测量流过半导体装置的电流。第一输出电压和第二输出电压被配置为测量半导体装置的导通电阻。
2、在本公开的一些实施例中，提供一种半导体系统。半导体系统包括钳位电路、滤波器、op以及电流采样元件。钳位电路连接到半导体装置的第一端子。滤波器连接到钳位电路。op连接到滤波器。op被配置为生成输出电压。电流采样元件连接到半导体装置的第二端
3、在本公开的一些实施例中，提供一种用于制造和操作半导体系统的方法。该方法包括：设置连接到半导体装置的第一端子且用于保护半导体装置的钳位电路；设置连接到钳位电路的第一滤波器；设置连接到第一滤波器以生成第一输出电压的第一运算放大器；设置连接到半导体装置的第二端子的第二滤波器；设置连接到第二滤波器以生成第二输出电压的第二op；以及基于第一输出电压和第二输出电压确定半导体装置的导通电阻。
4、本公开提供的半导体系统可以滤除或减少由半导体装置的高速切换引起的高频电磁干扰。此外，与钳位二极管相比，可以避免温度变化带来的干扰，从而增强用于测量半导体装置的导通电阻的半导体系统的性能。信号可以被半导体系统放大，以便改进可以由半导体系统测量的导通电阻的测量。因此，半导体装置的导通电阻可以通过半导体系统精确地测量或评估。
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1.一种半导体系统，包括：
2.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述半导体装置包括：
3.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述半导体装置的漏极、源极和栅极形成在所述第二氮化物半导体层上。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第一端子与所述漏极连接，所述第二端子与所述源极连接。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述钳位电路包括钳位晶体管。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述钳位晶体管的栅极电连接到栅极驱动器，所述钳位晶体管的漏极电连接到所述半导体装置的第一端子。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述钳位电路在所述半导体装置被导通之后导通，并且所述钳位电路在所述半导体装置被关断之前关断。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第一滤波器是低通滤波器，包括：
9.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第一电阻器电连接到所述钳位晶体管
10.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，进一步包括：
11.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第一OP的第一电压增益基本上等于所述第四电阻器与所述第二电阻器的电阻之比。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述测量电阻器布置在所述半导体装置和地之间，以测量流过所述半导体装置的电流。
13.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第二滤波器是低通滤波器，包括：
14.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，进一步包括：
15.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第二OP的第二电压增益根据所述第九电阻器与第八电阻器的电阻之比来确定，并且所述半导体装置的导通电阻根据所述第一输出电压、所述第一电压增益、所述第二输出电压和所述第二电压增益来确定。
16.一种用于制造和操作半导体系统的方法，包括：
17.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：
18.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：
19.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：
20.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：
21.一种半导体系统，包括：
22.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中所述半导体装置包括：
23.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述滤波器包括：
24.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，进一步包括：
25.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述OP的电压增益对应于所述第三电阻器与所述第二电阻器的电阻之比，并且所述半导体装置的导通电阻根据所述输出电压、所述电压增益和所述电流来确定。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体系统，包括：
2.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述半导体装置包括：
3.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述半导体装置的漏极、源极和栅极形成在所述第二氮化物半导体层上。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第一端子与所述漏极连接，所述第二端子与所述源极连接。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述钳位电路包括钳位晶体管。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述钳位晶体管的栅极电连接到栅极驱动器，所述钳位晶体管的漏极电连接到所述半导体装置的第一端子。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述钳位电路在所述半导体装置被导通之后导通，并且所述钳位电路在所述半导体装置被关断之前关断。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第一滤波器是低通滤波器，包括：
9.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第一电阻器电连接到所述钳位晶体管的源极，并且所述第一电容器电连接到地。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，进一步包括：
11.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述第一op的第一电压增益基本上等于所述第四电阻器与所述第二电阻器的电阻之比。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体系统，其中，所述测量电阻器布...
【专利技术属性】
技术研发人员：银杉，金寿东，林逸铭，辛雄，黄敬源，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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