【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种功率器件的制备方法。
技术介绍
1、在现有的功率器件的制备方法中，对掺杂的氮化物半导体层进行刻蚀时，会导致势垒层变薄，从而降低了器件的极化强度，使得器件的导通电阻增加。传统栅极和掺杂的氮化物半导体层形成的肖特基结耐压较低，限制了驱动电压，导致器件饱和电流下降。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种功率器件的制备方法，可以提高二维电子气浓度，有效降低漂移区电阻，提高器件饱和电流，实现高压双向开通关断。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种功率器件的制备方法，包括：
3、在衬底的一侧形成沟道层；
4、在沟道层远离衬底的一侧形成第一势垒层；
5、在第一势垒层远离沟道层的表面形成掺杂的氮化物半导体层；其中，掺杂的氮化物半导体层包括间隔设置的第一掺杂的氮化物半导体层和第二掺杂的氮化物半导体层；
6、在掺杂的氮化物半导体层远离第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层，其中，栅极包括第一栅极和第二栅极，第一栅极...
【技术保护点】
1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在所述掺杂的氮化物半导体层远离所述第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层，包括：
3.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在所述掺杂的氮化物半导体层远离所述第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层包括：
4.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在所述掺杂的氮化物半导体层远离所述第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层包括：
5.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在所述掺杂的氮化物...
【技术特征摘要】
1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在所述掺杂的氮化物半导体层远离所述第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层，包括：
3.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在所述掺杂的氮化物半导体层远离所述第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层包括：
4.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在所述掺杂的氮化物半导体层远离所述第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层包括：
5.根据权利要求1所述的功率器件的制备方法，其特征在于，在所述掺杂的氮化物半导体层远离所述第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层包括：
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述掺杂的氮化...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹杰，陈扶，赵杰，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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