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本发明公开了一种功率器件的制备方法，包括：在掺杂的氮化物半导体层远离第一势垒层的一侧形成栅极和第二势垒层，栅极包括第一栅极和第二栅极，第一栅极在衬底的正投影覆盖至少部分第一掺杂的氮化物半导体层在衬底的正投影，第二栅极在衬底的正投影覆盖至少部...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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