【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开总体涉及一种氮化物基半导体装置。更具体地，本公开涉及一种具有掺杂氮化物基半导体层的氮化物基半导体装置，该掺杂氮化物基半导体层具有厚度不同的部分。
技术介绍
1、近年来，对高电子迁移率晶体管(hemt)的深入研究已经十分活跃，尤其是在大功率开关和高频率应用方面。iii-氮化物基hemt利用两种具有不同带隙的材料之间的异质结界面形成类似量子阱的结构，该结构容纳二维电子气体(2deg)区域，从而满足高功率/高频率装置的需求。除了hemt之外，具有异质结构的示例还包括异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)和调制掺杂fet(modfet)。
2、关于氮化物基装置，如何减少/减轻栅极边缘附近强峰值电场引起的击穿现象已成为一个重要问题。当装置在高电压条件下操作时，很容易发生击穿现象，从而导致电性能和可靠性下降。因此，氮化物基装置的应用受到限制。
技术实现思路
1、根据本公开的一方面，提供一种半导体装置。一种氮化物基半导体装置包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导...
【技术保护点】
1.一种氮化物基半导体装置，包括：
2.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种氮化物基半导体装置，包括：
2.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
3.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
6.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，
8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置，其中，
9.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
10.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
11.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
12.根据前述权利要求中任一项所述的半导体装置，其中，
13.根据前述权利要求中...
【专利技术属性】
技术研发人员：饶剑，游政昇，杜卫星，张铭宏，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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