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一种氮化物基半导体装置包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、掺杂氮化物基半导体层、栅极电极和保护层。掺杂氮化物基半导体层具有第一部分和位于第一部分之上并且比第一部分窄的第二部分。栅极电极设置在掺杂氮化物基半导体层之上并且比第一部分...
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