【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法和一种光伏组件。
技术介绍
1、相较于晶硅太阳能电池，异质结太阳能电池具有良好的表面钝化，拥有较高的开路电压(voc)和光电转换效率，但是异质结太阳能电池具有高的串联电阻和低的填充因子，如何降低异质结太阳能电池的串联电阻，提升太阳能电池的性能成为急需解决的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件，可以降低太阳能电池的串联电阻，提高太阳能电池的性能。
2、一种太阳能电池，包括：
3、掺杂基底；
4、第一钝化层，位于所述掺杂基底的第一表面；
5、第一掺杂层，位于所述第一钝化层的表面，具有第一导电类型；
6、第一掺杂碳化硅层，位于所述第一掺杂层的表面，具有第一导电类型；及
7、第一透明导电氧化物层，位于所述第一掺杂碳化硅层的表面。
8、上述太阳能电池中，第一掺杂碳化硅层位于第一掺杂层和第一透明导电氧化物层之间，高电导率的第一掺杂碳化硅层降低了第一掺杂层和第一透明导电氧化物层之间的接触电阻，使得太阳能电池具有低的串联电阻，增加了太阳能电池的填充因子。与掺杂硅材料相比，第一掺杂碳化硅层的光学带隙比较高，透光更好，增加了入射到太阳能电池内部的太阳光，提高了太阳能电池的光电转换效率。载流子在第一掺杂碳化硅层中具有较高的迁移率，减小了载流子在第一掺杂层和第一掺杂碳化硅层之间的传输势垒，提高了太阳能电池中载流子的迁移率
9、在其中一个实施例中，还包括：
10、第二钝化层，位于所述掺杂基底的第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；
11、第二掺杂层，位于所述第二钝化层的表面，具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；
12、第二掺杂碳化硅层，位于所述第二掺杂层的表面，具有第二电类型；及
13、第二透明导电氧化物层，位于所述第二掺杂碳化硅层的表面。设置于第二掺杂层和第二透明导电氧化物层之间的第二掺杂碳化硅层，降低了第二掺杂层和第二透明导电氧化物层之间的接触电阻，进一步降低了太阳能电池中的串联电阻。同时，第二掺杂碳化硅层减小了载流子在第二掺杂层和第二掺杂碳化硅层之间的传输势垒，提高了载流子在基底第二表面至第二透明导电氧化物层的迁移率，进一步提高了太阳能电池的性能。
14、在其中一个实施例中，所述第二掺杂层的材料包括掺杂的纳米晶硅、掺杂的微晶硅、掺杂的非晶硅、掺杂的非晶硅氧、掺杂的纳米晶硅氧和掺杂的微晶硅氧中的至少一种，确保了载流子的提取效率。
15、在其中一个实施例中，还包括：
16、第一电极，位于所述第一透明导电氧化物层上，且与所述第一透明导电氧化物层电连接；及
17、第二电极，位于所述第二透明导电氧化物层上，且与所述第二透明导电氧化物层电连接。第一电极和第二电极用于收集太阳能电池的电流，并将太阳能电池外接到负载上，以向负载提供电能。
18、在其中一个实施例中，所述掺杂基底具有第二导电类型，第一表面为掺杂基底的受光面。掺杂基底和第一掺杂层之间形成设置在掺杂基底受光面的pn结，提高了太阳能电池光电转换的速率。
19、在其中一个实施例中，所述第一掺杂碳化硅层的材料包括第一导电类型掺杂的非晶碳化硅、第一导电类型掺杂的微晶碳化硅、第一导电类型掺杂的纳米晶碳化硅中的至少一种。不同材料的第一掺杂碳化硅层均可以降低了第一掺杂层和第一透明导电氧化物层之间的接触电阻，通过选取不同材料的第一掺杂碳化硅层，可以平衡太阳能电池的性能和制备成本。
20、一种太阳能电池制备方法，包括：
21、提供掺杂基底；
22、于所述掺杂基底的第一表面形成第一钝化层；
23、于所述第一钝化层的表面形成第一导电类型的第一掺杂层；
24、于所述第一掺杂层的表面形成第一导电类型的第一掺杂碳化硅层；及
25、于所述第一掺杂碳化硅层的表面形成第一透明导电氧化物层。
26、上述太阳能电池的制备方法中，第一掺杂碳化硅层的相对表面分别与第一掺杂层、第一透明导电氧化物层接触，高电导率的第一掺杂碳化硅层降低了第一掺杂层和第一透明导电氧化物层之间的接触电阻，使得太阳能电池具有低的串联电阻，增加了太阳能电池的填充因子。与掺杂硅材料相比，第一掺杂碳化硅层的光学带隙比较高，透光更好，增加了入射到太阳能电池内部的太阳光，提高了太阳能电池的光电转换效率。载流子在第一掺杂碳化硅层中具有较高的迁移率，减小了载流子在第一掺杂层和第一掺杂碳化硅层之间的传输势垒，提高了太阳能电池中载流子的迁移率，进一步提高了太阳能电池的性能。同时，第一掺杂碳化硅层的寄生吸收比较低，降低了载流子的表面复合，提高了太阳能电池的性能。
27、在其中一个实施例中，还包括：
28、于所述掺杂基底的第二表面形成第二钝化层，所述第二表面与所述第一表面相对设置；
29、于所述第二钝化层的表面形成第二导电类型的第二掺杂层，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；
30、于所述第二掺杂层的表面形成第二导电类型的第二掺杂碳化硅层；及
31、于所述第二掺杂碳化硅层的表面形成第二透明导电氧化物层。设置于第二掺杂层和第二透明导电氧化物层之间的第二掺杂碳化硅层，降低了第二掺杂层和第二透明导电氧化物层之间的接触电阻，进一步降低了太阳能电池中的串联电阻。同时，第二掺杂碳化硅层减小了载流子在第二掺杂层和第二掺杂碳化硅层之间的传输势垒，提高了载流子在基底第二表面至第二透明导电氧化物层的迁移率，进一步提高了太阳能电池的性能。
32、在其中一个实施例中，还包括：
33、于所述第一透明导电氧化物层上形成第一电极，所述第一电极与所述第一透明导电氧化物层电连接；及
34、于所述第二透明导电氧化物层上形成第二电极，所述第二电极与所述第二透明导电氧化物层电连接。第一电极和第二电极用于收集太阳能电池的电流，并将太阳能电池外接到负载上，以向负载提供电能。
35、在其中一个实施例中，所述提供掺杂基底包括：
36、提供第二导电类型的掺杂基底；
37、其中，第一表面为掺杂基底的受光面。掺杂基底和第一掺杂层之间形成设置在掺杂基底受光面的pn结，提高了太阳能电池光电转换的速率。
38、一种光伏组件，包括若干个如上述的太阳能电池。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层的材料包括掺杂的纳米晶硅、掺杂的微晶硅、掺杂的非晶硅、掺杂的非晶硅氧、掺杂的纳米晶硅氧和掺杂的微晶硅氧中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂基底具有第二导电类型，所述第一表面为所述掺杂基底的受光面。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂碳化硅层的材料包括第一导电类型掺杂的非晶碳化硅、第一导电类型掺杂的微晶碳化硅、第一导电类型掺杂的纳米晶碳化硅中的至少一种。
7.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述提供掺杂基底包括：
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...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂层的材料包括掺杂的纳米晶硅、掺杂的微晶硅、掺杂的非晶硅、掺杂的非晶硅氧、掺杂的纳米晶硅氧和掺杂的微晶硅氧中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂基底具有第二导电类型，所述第一表面为所述掺杂基底的受光面。
6.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王永恒，孟子博，郭江东，杨广涛，郭丛，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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