【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及扩散片制备，具体为一种激光扩散片的制备方法。
技术介绍
1、扩散片是背光模组的重要组成之一，为显示器件提供了均匀的面光源。扩散片可以有效利用图像光以确保屏幕高亮度，光可以限制性地向所估计观察者存在区域扩散和发射；还可以提高屏幕边缘亮度以减小亮度的不均匀性，其中屏幕的边缘部分与屏幕中心部分亮度不均就视角而言是不利的。
2、传统的扩散片主要是在扩散片基材中加入化学颗粒作为散射粒子，使光线在经过扩散层时不断地在两个折射率相异的介质中发生折射、反射与散射，以此产生光学扩散的效果。然而，这种方式将不可避免地存在扩散离子对光的吸收，降低了光能利用率。微结构阵列则是通过其表面的微结构使光线经过时发生不同方向的折反射，实现对光的扩散。并且此类型的光线扩散完全基于基材自身表面的微结构，不存在传统扩散片中扩散粒子对光的吸收，因此较传统扩散片能有效地提高光能利用率。常见的扩散片制备方法有：三维掩模光刻法、光刻胶热熔法、离子交换法、按需滴定法等，这些方法工艺复杂、可控性差且设备要求高。因此，寻求一种便于加工、可控性强、加工效率高且光学性能优异的扩散片制备方法是亟需解决的问题。
技术实现思路
1、为了克服上述现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供一种激光扩散片的制备方法，以解决现有技术中的激光扩散片的加工工艺复杂，可控性差以及影响光学性能的技术问题。
2、本专利技术是通过以下技术方案来实现：
3、一种激光扩散片的制备方法，包括如下步骤：
4
5、步骤2，将预置纳米结构图案的纳米压印模具放置在压印机上真空吸附，并在预置纳米结构图案上涂覆压印胶，将膜头基底通过全面积压印的方式压印在纳米压印模具的预置纳米结构图案上，使得预置纳米结构图案转移至模头基底上，脱模后得到具有纳米结构反图案的第一转印模板；
6、步骤3，在第一玻璃晶圆基底上涂覆压印胶，将第一转印模板通过全面积压印的方式压印在玻璃晶圆基底上，并将第一转印模板上的纳米结构反图案转印至第一玻璃晶圆基底上，脱模后得到具有纳米结构图案的第二转印模板；
7、步骤4，对第二转印模板上表面进行清净处理和抗黏处理，并采用旋涂方式在第二转印模板上均匀涂覆压印胶，将软模板压印在第二转印模板上，使得第二转印模板的纳米结构图案转印制软模板上，脱模后得到具有纳米结构反图案的第三转印模板；
8、步骤5，在第二玻璃晶圆基底的表面旋涂一层压印胶，将第三转印模板的纳米结构反图案转印到第二玻璃晶圆基底的上表面，得到具有呈扩散片纳米结构图案的压印产品，对压印产品垂直刻蚀，将纳米结构图案完全转移至压印第二玻璃晶圆基底上，得到呈扩散片纳米结构的图案。
9、优选的，步骤2中，模头基底通过全面积压印的方式压印在纳米压印模具的预置纳米结构图案上，具体过程如下：
10、将纳米压印模具放置在压印机的吸盘上，涂覆压印胶；将模头基底放置在压印机的工作平台上，控制吸盘缩小纳米压印模具与模头基底之间的距离；将纳米压印模具压入胶层，使胶水均匀地填充至纳米压印模具的预置纳米结构图案结构上；照射紫外光使其固化成形，使得预置纳米结构图案转移至模头基底上，脱模后得到具有纳米结构反图案的第一转印模板。
11、优选的，步骤3中，第一转印模板通过全面积压印的方式压印在玻璃晶圆基底上的具体过程如下：
12、将第一转印模板放置在压印机的吸盘上，涂覆压印胶；将第一玻璃晶圆基底放置在压印机的工作平台上，控制吸盘缩小第一转印模板与第一玻璃晶圆基底之间的距离；将第一转印模板压入胶层，使胶水均匀地填充至第一转印模板的纳米结构反图案结构上；照射紫外光使其固化成形，使得纳米结构反图案结构转移至第一玻璃晶圆基底上，脱模后得到具有纳米结构图案的第二转印模板。
13、优选的，步骤4中，对第二转印模板上表面进行清净处理的过程如下：
14、将第二转印模板依次放入含丙酮、无水乙醇、异丙醇溶液的培养皿中，超声清洗，再将清洗后的第二转印模板转入纯水培养皿中清洗，最后用氮气气枪吹干。
15、优选的，步骤4中，对第二转印模板上表面进行抗黏处理中采用匀胶设备在第二转印模板的纳米结构图案表面上均匀旋涂一层抗黏液，其中抗黏处理后的模具水滴角≥95°。
16、优选的，步骤4中，软模板采用滚动式卷对板压印法压印在第二转印模板上，具体过程如下：
17、通过滚动施压的方式将已经制备好的具有纳米结构图案的第二转印模板覆盖到图形转移层上，施加压力将第二转印模板上的纳米结构图案转移到软模板的压印胶层上表面，采用紫外光照射的方式进行压印胶的固化、脱模，在软模板的压印胶层上表面得到纳米结构反图案。
18、优选的，步骤5中，第三转印模板的纳米结构反图案采用滚动式卷对板压印法压印到第二玻璃晶圆基底的上表面，具体过程如下：
19、通过滚动施压的方式将已经制备好的具有纳米结构图案的第三转印模板覆盖到图形转移层上，施加压力将第三转印模板上的纳米结构图案转移到第二玻璃晶圆基底的压印胶层上表面，采用紫外光照射的方式进行压印胶的固化、脱模，在第二玻璃晶圆基底的压印胶层上表面得到呈扩散片纳米结构的图案。
20、进一步的，滚动施压的速度为5～10mm/s；紫外光强度为300～350mw/cm2，照射时间为30～60s。
21、优选的，步骤5中，压印产品为单晶硅、石英或玻璃基底模板。
22、优选的，步骤5中，对压印产品垂直刻蚀中以刻蚀速度选择比1:1和相同的刻蚀参数对呈扩散片纳米结构图案的压印胶层和基底进行垂直刻蚀，其中刻蚀参数包括刻蚀功率、腔体压力、气体以及气体流量。
23、与现有技术相比，本专利技术具有以下有益的技术效果：
24、本专利技术提供了一种激光扩散片的制备方法，通过全面积压印将预置纳米结构图案的纳米压印模具转印至第一转印模板；由第一转印模板通过同种压印工艺将纳米结构图案转印至第二转印模板；再由经抗黏处理后的第二转印模板通过滚动式卷对板压印转印得到具有纳米结构反图案的第三转印模板；最后由第三转印模板经同种工艺压印得到产品；接着采用刻蚀工艺对压印产品的基底进行刻蚀，将纳米结构图案从压印胶层转移至压印基底，在压印基底上形成纳米结构图案，制备获得扩散片；本专利技术中光线扩散完全基于基材自身表面的微结构，不存在传统扩散片中扩散粒子对光的吸收，较传统扩散片能有效地提高光能利用率。
25、进一步的，本专利技术采用两种不同的纳米压印工艺进行压印，即全面积压印及滚动式卷对板压印，利用不同设备的形变特性对面型进行补偿，以缩小子模与产品间的面型差距。本专利技术涉及的新工艺，方法简单便捷，降低了扩散片模具制作成本及使用成本，提高了产品制备效率且适合制备超薄型结构，有效降低了背光模组的厚度，因此制备的扩散片光学性能更优异。
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1.一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤2中，模头基底通过全面积压印的方式压印在纳米压印模具的预置纳米结构图案上，具体过程如下：
3.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤3中，第一转印模板通过全面积压印的方式压印在玻璃晶圆基底上的具体过程如下：
4.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤4中，对第二转印模板上表面进行清净处理的过程如下：
5.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤4中，对第二转印模板上表面进行抗黏处理中采用匀胶设备在第二转印模板的纳米结构图案表面上均匀旋涂一层抗黏液，其中抗黏处理后的模具水滴角≥95°。
6.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤4中，软模板采用滚动式卷对板压印法压印在第二转印模板上，具体过程如下：
7.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤5中，第三转印模板的纳米结构反图案
8.根据权利要求6或7所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，所述滚动施压的速度为5～10mm/s；紫外光强度为300～350mW/cm2，照射时间为30～60s。
9.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤5中，压印产品为单晶硅、石英或玻璃基底模板。
10.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤5中，对压印产品垂直刻蚀中以刻蚀速度选择比1:1和相同的刻蚀参数对呈扩散片纳米结构图案的压印胶层和基底进行垂直刻蚀，其中刻蚀参数包括刻蚀功率、腔体压力、气体以及气体流量。
...【技术特征摘要】
1.一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤2中，模头基底通过全面积压印的方式压印在纳米压印模具的预置纳米结构图案上，具体过程如下：
3.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤3中，第一转印模板通过全面积压印的方式压印在玻璃晶圆基底上的具体过程如下：
4.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤4中，对第二转印模板上表面进行清净处理的过程如下：
5.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤4中，对第二转印模板上表面进行抗黏处理中采用匀胶设备在第二转印模板的纳米结构图案表面上均匀旋涂一层抗黏液，其中抗黏处理后的模具水滴角≥95°。
6.根据权利要求1所述的一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：周建锋，赵华琦，刘守航，袁万利，
申请(专利权)人：华天慧创科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：
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