【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种基板处理方法、半导体装置的制造方法、存储介质以及基板处理装置。
技术介绍
1、作为半导体装置的制造工序的一个工序，有时进行反复进行成膜工序和蚀刻工序而形成膜的成膜处理(例如参照专利文献1)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2019-160962号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、然而，在以往的处理中，例如，对于在表面形成有凹部的基板，有时难以在凹部内形成具有所需的厚度分布的膜。
3、本公开提供一种例如能够在基板的凹部内形成具有需的厚度分布的膜的技术。
4、用于解决课题的方案
5、根据本公开的一个方案，提供一种技术，其具有：
6、(a)对处理室内的基板供给含有预定元素和卤素元素的第一气体的工序；
7、(b)从所述处理室内除去所述第一气体的工序；
8、(c)通过进行第一预定次数的包含(a)和(b)的循环，在所述基板上形成含有所述预定元素且表面为卤素封端的第一层的工序；
9、(d)通过对形成有所述第一层的所述基板供给含有所述预定元素的第二气体，在所述基板上形成含有所述预定元素的第二层的工序；以及
10、(e)通过进行第二预定次数的包含(c)和(d)的循环，在所述基板上形成含有所述预定元素的膜的工序。
11、专利技术效果
12、根据本公开，能够提供一种例如能够在基板的
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1.一种基板处理方法，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求3或4所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
12.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，
13.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
14.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
15.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
16.根据权利要求1所述的
17.根据权利要求16所述的基板处理方法，其特征在于，
18.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
19.一种存储介质，其为计算机可读取的存储有程序的存储介质，其特征在于，
20.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于，具有：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求3或4所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，
11.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：高桥正纮，堀田英树，森谷敦，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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