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本发明提供一种基板处理方法、半导体装置的制造方法、存储介质以及基板处理装置，能够在基板的凹部内形成具有所需的厚度分布的膜。具有：(a)对处理室内的基板供给含有预定元素和卤素元素的第一气体的工序；(b)从处理室内除去第一气体的工序；(c)通过...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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