管道式光氯化连续反应装置及光氯化方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种管道式光氯化连续反应装置及光氯化方法,包括静态混合器，所述静态混合器的进口端分别连接四氯化硅料源和氯气气源，用于将四氯化硅料源和氯气气源进入静态混合器内进行预混合；反应器，所述反应器具有底部进口端和顶部出口端，所述底部进口端与静态混合器的出口端相连通，所述反应器包括至少一组填料段和反应段，所述填料段的出口侧与反应段的进口侧相连通，本方案为一种效率高、通量大的去除四氯化硅中痕量甲基氯硅烷的设备。与其适配的生产工艺能够实现连续稳定生产，生产能力得到了极大提升，可实现规模化连续化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子级四氯化硅制备，具体涉及一种管道式光氯化连续反应装置及光氯化方法。

技术介绍

1、pcvd级四氯化硅用于等离子化学气相沉积法(即pcvd法)制备光纤芯棒，作为光纤的芯层材料，是光通信行业重要的原材料，四氯化硅中痕量的甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷会造成光信号衰减，严重影响光纤的质量，需进行有效去除。

2、电子级四氯化硅用作半导体硅外延的硅源，是性能优异的低温硅淀积的源材料，可直接参与金属刻蚀，作为聚合物(polymer)气体保护侧壁，增加刻蚀方向性；电子级四氯化硅在无硅片衬底自动干法蚀刻清洁方法(waferless auto-cleaning，简称wac)工艺中作为沉淀聚合物气体使用。四氯化硅中痕量的甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷等甲基氯硅烷会对电子级四氯化硅的刻蚀形貌造成不良影响，造成良率下降需加以去除。

3、粗四氯化硅由工业硅粉和氯气高温下反应生成，四氯化硅在合成中，因为硅粉中含有一定量的碳，造成四氯化硅中含有几十至几百ppm的甲基氯硅烷，其中主要的有甲基二氯硅烷和甲基三氯硅烷。另外作为多晶硅副产物的四氯化硅同样存在此本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种管道式光氯化连续反应装置，其特征在于：包括

2.根据权利要求1所述的一种管道式光氯化连续反应装置，其特征在于：所述反应器内按照工质流向依次设置有前级填料段、前级反应段、后级填料段和后级反应段，前级填料段、前级反应段、后级填料段和后级反应段依次相连接。

3.根据权利要求1所述的一种管道式光氯化连续反应装置，其特征在于：单个所述填料段的高度为300mm～800mm；单个所述反应段的高度为800mm～1200mm；所述反应器的直径为DN100～DN300。

4.根据权利要求1所述的一种管道式光氯化连续反应装置，其特征在于：所述反应器的底部设置有水帽，...

【技术特征摘要】

1.一种管道式光氯化连续反应装置，其特征在于：包括

2.根据权利要求1所述的一种管道式光氯化连续反应装置，其特征在于：所述反应器内按照工质流向依次设置有前级填料段、前级反应段、后级填料段和后级反应段，前级填料段、前级反应段、后级填料段和后级反应段依次相连接。

3.根据权利要求1所述的一种管道式光氯化连续反应装置，其特征在于：单个所述填料段的高度为300mm～800mm；单个所述反应段的高度为800mm～1200mm；所述反应器的直径为dn100～dn300。

4.根据权利要求1所述的一种管道式光氯化连续反应装置，其特征在于：所述反应器的底部设置有水帽，用于将由静态混合器排出的预混合后的原料经过水帽分散后进入反应器内；单个反应器内水帽数量为1～4个。

5.根据权利要求2所述的一种管道式光氯化连续反应装置，其特征在于：单个反应段上设置有2-4组视镜，每组视镜设置有两块且正相对设置在反应管腔侧壁两侧，每相邻两组视镜中，每组两块正相对设置的视镜中心连线与相邻组的视镜中心连线形成有一定偏转夹角。

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵雄，张兴毅，赵宇，万烨，郭树虎，王磊，李云昊，武晓闯，
申请(专利权)人：洛阳中硅高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：