【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及复位电路，尤其涉及一种复位阈值电压可编程的上电复位电路及集成电路系统。
技术介绍
1、随着集成电路的发展，功耗问题逐渐变成限制集成电路应用的一个关键问题。近年来，多电压域技术被广泛应用，通过使系统中不同的模块工作在不同的电源电压，最大化系统的能效。但传统的上电复位电路具有单一的触发阈值，难以适用于不同的电源电压，要发挥多电压技术的优势，需要设计多种不同的上电复位电路，导致设计复杂度大大上升。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种复位阈值电压可编程的上电复位电路及集成电路系统，能够灵活配置触发阈值，使得单个上电复位电路能够直接应用于多种不同的电源电压，进而有效降低多电压域技术的设计复杂度。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：
3、本专利技术实施例的一方面提供了一种复位阈值电压可编程的上电复位电路，所述复位电路包括：参考电压电路，所述参考电压电路的电源输入端连接系统电源，所述参考电压电路的输出端输出参考电压；分压电路和可编程电路，所述可编程电路包括第一pmos管、第二pmos管，所述分压电路的电源输入端连接系统电源，所述分压电路的第一输出端连接所述第一pmos管的源极，所述分压电路的第二输出端连接所述第二pmos管的源极，所述第一pmos管的栅极接收第一控制信号，所述第二pmos管的栅极接收第二控制信号；比较器电路和反相器，所述比较器电路的电源输入端连接系统电源，所述比较器电路的第一输入端连接所述参考电压电路的输出端，所
4、在一些实施例中，所述参考电压电路包括第一nmos管和第三pmos管，所述第一nmos管的漏极连接电源，所述第一nmos管的栅极连接所述第一nmos管的源极、所述第三pmos管的源极和所述比较器电路的第一输入端，所述第三pmos管的栅极连接所述第三pmos管的漏极和地点。
5、在一些实施例中，所述比较器电路包括第二nmos管、第三nmos管和电流镜电路，所述第二nmos管的漏极连接所述电流镜电路的一端，所述第二nmos管的栅极连接所述第一nmos管的源极和第三pmos管的源极，所述第三nmos管的漏极连接所述电流镜电路的另一端和所述反相器的输入端，所述第三nmos管的栅极连接所述第一pmos管的漏极和所述第二pmos管的漏极，所述第二nmos管的源极和所述第三nmos管的源极接地。
6、在一些实施例中，所述电流镜电路包括第四pmos管和第五pmos管，所述第四pmos管的源极和所述第五pmos管的源极均连接系统电源，所述第四pmos管的栅极连接所述第四pmos管的漏极、第五pmos管的栅极和所述第二nmos管的漏极，所述第五pmos管的漏极连接所述反相器的输入端和所述第三nmos管的漏极。
7、在一些实施例中，所述分压电路包括第一单向导通元件、第二单向导通元件和第三单向导通元件，所述第一单向导通元件的输入端连接系统电源，所述第二单向导通元件的输入端和所述第一pmos管的源极连接所述第一单向导通元件的输出端，所述第三单向导通元件的输入端和所述第二pmos管的源极连接所述第二单向导通元件的输出端，所述第三单向导通元件的输出端接地。
8、在一些实施例中，所述第一单向导通元件包括第六pmos管和第七pmos管，所述第六pmos管的源极连接系统电源，所述第六pmos管的栅极连接所述第六pmos管的漏极和所述第七pmos管的源极，所述第七pmos管的栅极连接所述第七pmos管的漏极、所述第二单向导通元件的输入端和所述第一pmos管的源极。
9、在一些实施例中，所述第二单向导通元件包括第八pmos管，所述第八pmos管的源极连接所述第七pmos管的栅极、所述第七pmos管的漏极和所述第一pmos管的源极；所述第三单向导通元件包括第九pmos管，所述第八pmos管的栅极连接所述第八pmos管的漏极、所述第九pmos管的源极和所述第二pmos管的源极，所述第九pmos管的栅极连接所述第九pmos管的漏极和地点。
10、在一些实施例中，当所述第一控制信号为低电平时，则所述第二控制信号为高电平，当所述第二控制信号为高电平时，通过改变所述第一控制信号的电压值来改变所述复位阈值电压，所述第一控制信号与所述复位阈值电压呈正比。
11、在一些实施例中，当所述第一控制信号为高电平时，则所述第二控制信号为低电平，当所述第一控制信号为高电平时，通过改变所述第二控制信号的电压值来改变所述复位阈值电压，所述第二控制信号与所述复位阈值电压呈正比。
12、本专利技术实施例的一方面提供了一种集成电路系统，所述集成电路系统包括如上所述的复位电路。
13、根据本专利技术实施例的一种复位阈值电压可编程的上电复位电路及集成电路系统，至少具有如下有益效果：传统的上电复位电路具有单一的触发阈值，难以适应多种工作电压的应用场景。而本申请能够根据配置信号灵活设置上电复位电路的触发阈值，使得上电复位电路能够灵活应对电源电压的调整，进而有效提升上电复位电路的应用范围。
14、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本公开。
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1.一种复位阈值电压可编程的上电复位电路，其特征在于，所述复位电路包括：
2.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述参考电压电路包括第一NMOS管和第三PMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接电源，所述第一NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极和所述比较器电路的第一输入端，所述第三PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的漏极和地点。
3.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述比较器电路包括第二NMOS管、第三NMOS管和电流镜电路，所述第二NMOS管的漏极连接所述电流镜电路的一端，所述第二NMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的源极和第三PMOS管的源极，所述第三NMOS管的漏极连接所述电流镜电路的另一端和所述反相器的输入端，所述第三NMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极，所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的复位电路，其特征在于，所述电流镜电路包括第四PMOS管和第五PMOS管，所述第四PMOS管的源极和所述第五PMOS
5.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述分压电路包括第一单向导通元件、第二单向导通元件和第三单向导通元件，所述第一单向导通元件的输入端连接系统电源，所述第二单向导通元件的输入端和所述第一PMOS管的源极连接所述第一单向导通元件的输出端，所述第三单向导通元件的输入端和所述第二PMOS管的源极连接所述第二单向导通元件的输出端，所述第三单向导通元件的输出端接地。
6.根据权利要求5所述的复位电路，其特征在于，所述第一单向导通元件包括第六PMOS管和第七PMOS管，所述第六PMOS管的源极连接系统电源，所述第六PMOS管的栅极连接所述第六PMOS管的漏极和所述第七PMOS管的源极，所述第七PMOS管的栅极连接所述第七PMOS管的漏极、所述第二单向导通元件的输入端和所述第一PMOS管的源极。
7.根据权利要求6所述的复位电路，其特征在于，所述第二单向导通元件包括第八PMOS管，所述第八PMOS管的源极连接所述第七PMOS管的栅极、所述第七PMOS管的漏极和所述第一PMOS管的源极；
8.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，当所述第一控制信号为低电平时，则所述第二控制信号为高电平，当所述第二控制信号为高电平时，通过改变所述第一控制信号的电压值来改变所述复位阈值电压，所述第一控制信号与所述复位阈值电压呈正比。
9.根据权利要求8所述的复位电路，其特征在于，当所述第一控制信号为高电平时，则所述第二控制信号为低电平，当所述第一控制信号为高电平时，通过改变所述第二控制信号的电压值来改变所述复位阈值电压，所述第二控制信号与所述复位阈值电压呈正比。
10.一种集成电路系统，其特征在于，所述集成电路系统包括如权利要求1至9任一项所述的复位电路。
...【技术特征摘要】
1.一种复位阈值电压可编程的上电复位电路，其特征在于，所述复位电路包括：
2.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述参考电压电路包括第一nmos管和第三pmos管，所述第一nmos管的漏极连接电源，所述第一nmos管的栅极连接所述第一nmos管的源极、所述第三pmos管的源极和所述比较器电路的第一输入端，所述第三pmos管的栅极连接所述第三pmos管的漏极和地点。
3.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述比较器电路包括第二nmos管、第三nmos管和电流镜电路，所述第二nmos管的漏极连接所述电流镜电路的一端，所述第二nmos管的栅极连接所述第一nmos管的源极和第三pmos管的源极，所述第三nmos管的漏极连接所述电流镜电路的另一端和所述反相器的输入端，所述第三nmos管的栅极连接所述第一pmos管的漏极和所述第二pmos管的漏极，所述第二nmos管的源极和所述第三nmos管的源极接地。
4.根据权利要求3所述的复位电路，其特征在于，所述电流镜电路包括第四pmos管和第五pmos管，所述第四pmos管的源极和所述第五pmos管的源极均连接系统电源，所述第四pmos管的栅极连接所述第四pmos管的漏极、第五pmos管的栅极和所述第二nmos管的漏极，所述第五pmos管的漏极连接所述反相器的输入端和所述第三nmos管的漏极。
5.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述分压电路包括第一单向导通元件、第二单向导通元件和第三单向导通元件，所述第一单向导通元件的输入端连接系统电源...
【专利技术属性】
技术研发人员：游恒，尚德龙，周玉梅，
申请(专利权)人：中科南京智能技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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