一种背沟道BCE氧化物阵列基板制造技术

本技术提供一种背沟道BCE氧化物阵列基板，从下到上依次包括基板、第一透明导电层、第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层以及第二导电透明层，第一透明导电层包括第一ITO层和第一电极，第一金属层与第一ITO层组成栅极；第二金属层包括源极、漏极以及COM信号线；钝化层开设有第一通孔、第二通孔以及第三通孔，第二导电透明层包括第二电极和桥接电极；当第二电极通过第一通孔与漏极连接时，第二电极则为像素电极；桥接电极分别通过第二通孔和第三通孔桥接所述COM信号线和第一电极，则第一电极为COM电极。本技术通过优化结构仅利用4枚光罩即可生产出所需高品质金属氧化物整列基板，大大降低了生产成本，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

【】本技术涉及显示器面板领域，具体涉及一种背沟道bce氧化物阵列基板。

技术介绍

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技术介绍

1、在液晶显示领域中，ffs(fringe field switching)技术是一种通过tft基板上的顶层条状像素电极和底层面状com电极(bottom com)或者顶层com像素电极和底层面状像素电极(bop com)之间产生的边缘电场，使电极之间及电极正上方的液晶分子都能在平行于玻璃基板的平面上发生转动的液晶显示技术。采用ffs像素结构下的液晶面板具有高透过率、高可视角、高对比度、高色域等特点，是目前高端液晶显示面板的主要像素结构类型。

2、利用金属氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管因其具有漏电流小、场效应迁移率高、区域均匀性好等优点，成为显示面板中阵列基板的重要发展技术之一。以背沟道(bce)氧化物-ffs阵列基板为例，基板整体由两部分构成：底部薄膜晶体管以及上部ffs结构。

3、薄膜晶体管的基本组成结构：栅极(第一金属层)、半导体层、源级&漏极(第二金属层)分别需要3枚光罩，第一金属层和第二金属层同时还用来制备驱动信号线，数据信号线、com信号线等。若基板采用蚀刻阻挡型(esl)薄膜晶体管则需另增1枚蚀刻阻挡层光罩，若采用顶栅自对准薄膜晶体管(top-gate)则需另增1枚遮光层光罩；

4、ffs的基本结构包括：像素电极与com电极需要2枚光罩；

5、各导电膜层间需要通过绝缘层隔开，根据电路信号传递需要，利用光罩对绝缘层进行挖孔，包括但不限于：栅极绝缘层通孔(第一金属层与第二金属层接触)，钝化层通孔(像素电极与漏极金属接触)、中间绝缘层通孔(com电极与com信号线接触)，平坦层通孔等，依据布线设计一般需要2～4枚光罩；

6、因此，现有氧化物阵列基板设计下，完成阵列基板全部膜层结构一般需要7～10枚光罩进行工艺制备。

7、现有基于ffs像素结构下所制备的氧化物tft阵列基板一般需要7～10枚光罩，在商业化开发氧化物阵列基板的过程中，光罩数量越少意味着生产效率越高，生产周期越短，物料成本等生产成本也随之降低，如何解决商业化大面积生产高品质氧化物阵列基板的同时尽量减少所需的成本支出，提高产能，是目前业内的开发瓶颈之一。

8、有鉴于此，本技术提出了一种背沟道bce氧化物阵列基板结构，利用4枚光罩即可生产出所需高品质金属氧化物整列基板，大大降低了生产成本，提高生产效率。

技术实现思路

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技术实现思路

1、本技术要解决的技术问题，在于提供一种背沟道bce氧化物阵列基板，其通过优化结构，仅利用4枚光罩即可生产出所需高品质金属氧化物整列基板，大大降低了生产成本，提高生产效率。

2、本技术是这样实现上述技术问题的：

3、一种背沟道bce氧化物阵列基板，包括基板，

4、第一透明导电层，设置在所述基板上，所述第一透明导电层包括第一ito层和第一电极；

5、第一金属层，设置在所述第一ito层上，所述第一金属层与所述第一ito层组成栅极；

6、栅极绝缘层，设置在所述第一金属层和所述第一电极上；

7、半导体层，设于所述栅极绝缘层上；

8、第二金属层，设置在所述半导体层上，所述第二金属层包括源极、漏极以及com信号线；

9、钝化层，设置在所述第二金属层上，所述钝化层开设有第一通孔、第二通孔以及第三通孔，所述第一通孔位于所述漏极上方，且从所述第一通孔露出所述漏极的上表面；所述第二通孔位于所述com信号线的上方，且从所述第二通孔露出所述com信号线的上表面；所述第三通孔向下贯穿所述栅极绝缘层，且从所述第三通孔露出所述第一电极上表面；

10、第二导电透明层，设置在所述钝化层上，所述第二导电透明层包括第二电极和桥接电极；

11、当所述第二电极通过所述第一通孔与所述漏极连接时，所述第二电极则为像素电极；所述桥接电极分别通过第二通孔和第三通孔桥接所述com信号线和所述第一电极，则所述第一电极为com电极。

12、进一步的，当所述第二电极通过第二通孔与所述com信号线连接时，则所述第二电极为com电极；所述桥接电极分别通过所述第一通孔和第三通孔桥接所述漏极和第一电极，则所述第一电极为像素电极。

13、进一步的，所述基板和第一透明导电层之间还设置有透明绝缘层。

14、进一步的，所述第三通孔底部的第一电极上方设置有第一金属层，所述桥接电极通过第三通孔依次连接第一金属层和第一电极。

15、本技术具有如下优点：

16、综上，本技术提出了新型氧化物tft阵列基板结构，通过优化其层结构，使得第一金属层和第一透明导电层可共用同1枚光罩、第二金属层和半导体层可共用1枚光罩、钝化层和栅极绝缘层可共用1枚光罩进行挖孔，最后第二透明导电层使用1枚光罩，因此，仅利用4枚光罩即可生产出所需高品质金属氧化物整列基板，大大降低了生产成本，提高生产效率。

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【技术保护点】

1.一种背沟道BCE氧化物阵列基板，其特征在于：包括基板，

2.根据权利要求1所述的一种背沟道BCE氧化物阵列基板，其特征在于：当所述第二电极通过第二通孔与所述COM信号线连接时，则所述第二电极为COM电极；所述桥接电极分别通过所述第一通孔和第三通孔桥接所述漏极和第一电极，则所述第一电极为像素电极。

3.根据权利要求1所述的一种背沟道BCE氧化物阵列基板，其特征在于：所述基板和第一透明导电层之间还设置有透明绝缘层。

4.根据权利要求1或2所述的一种背沟道BCE氧化物阵列基板，其特征在于：所述第三通孔底部的第一电极上方设置有第一金属层，所述桥接电极通过第三通孔依次连接第一金属层和第一电极。

【技术特征摘要】

1.一种背沟道bce氧化物阵列基板，其特征在于：包括基板，

2.根据权利要求1所述的一种背沟道bce氧化物阵列基板，其特征在于：当所述第二电极通过第二通孔与所述com信号线连接时，则所述第二电极为com电极；所述桥接电极分别通过所述第一通孔和第三通孔桥接所述漏极和第一电极，则所述第一电极为像素电极。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宇怀，
申请(专利权)人：华映科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：