一种具有三层钝化层的晶体管及其制备方法技术

技术编号：40674611 阅读：20 留言：0更新日期：2024-03-18 19:12

本发明专利技术公开了一种具有三层钝化层的晶体管，所述具有三层钝化层的晶体管结构自上而下依次包括金刚石钝化层、功能层、漂移层、衬底；其中，所述功能层包括源极、漏极和栅极；所述源极和漏极设置在漂移层的两侧，所述源极和漏极之间沉积有栅介质层；所述栅介质层上方设置有栅极，所述栅极和源极之间，以及栅极和漏极之间，均自上而下依次沉积第二钝化层和第一钝化层；本发明专利技术提出的器件具有三层钝化层可以大大提高了器件的击穿电压特性，降低了反向漏电流，整体提高了器件的电学性能；首先在氧化镓表面的第一钝化层可以起到界面屏障的作用，防止氧化镓表面与环境中的物质相互作用。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别是涉及一种具有三层钝化层的晶体管及其制备方法。

技术介绍

1、随着半导体器件及应用技术不断向着高效率、低功耗的方向发展，目前，第一代传统半导体材料硅(si)已经接近其材料性能的极限，第二代半导体材料砷化镓(gaas)和铟化磷(inp)在光通信领域持续发热，第三代半导体材料碳化硅(sic)和氮化镓(gan)已经逐步实现了商业化。未来的功率器件向着更高的pfom(power figure ofmerit)优值、更高的击穿电压和更低的电阻发展。第四代半导体材料氧化镓(ga2o3)较sic(3.3ev)和gan(3.4ev)拥有更宽的禁带宽度(4.2ev-4.9ev)、更高的击穿场强(8mv/cm)、更高的巴利加优值(3444)、更低的生产成本和稳定的物理化学性质，这些优势使得它成为制备下一代高效率、低能耗电力电子器件的优秀候选材料，在功率器件、光电子器件等领域有着广阔的发展前景。

2、氧化镓一共有5种不同的晶向结构，分别是α，β，γ，δ和ε。其中β-ga2o3是最为稳定的晶向，也是研究最为广泛的一种。...

【技术保护点】

1.一种具有三层钝化层的晶体管，其特征在于，所述具有三层钝化层的晶体管结构自上而下依次包括金刚石钝化层、功能层、漂移层、衬底；

2.根据权利要求1所述具有三层钝化层的晶体管，其特征在于，所述金刚石钝化层的厚度为1-2μm。

3.根据权利要求1所述具有三层钝化层的晶体管，其特征在于，所述第二钝化层的厚度为100-400nm。

4.根据权利要求1所述具有三层钝化层的晶体管，其特征在于，所述第一钝化层的厚度为10-100nm。

5.根据权利要求3所述具有三层钝化层的晶体管，其特征在于，所述凹槽的深度为80-350nm。