【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示发光器件检测，特别涉及一种用于led芯片非电接触el检测的电极板结构、制备方法及使用方法。
技术介绍
1、随着微型led技术的发展，led芯片的尺寸越来越小，利用探针对led芯片阵列的每一颗led芯片进行接触的传统电致发光检测方法难以满足成规模的检测工作，并且对于小尺寸led芯片，不仅探针容易对led芯片造成物理损伤，外部电流注入led芯片时也容易对led芯片造成损害。
技术实现思路
1、本申请的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本申请提出一种用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，能够实现非电接触驱动led芯片电致发光，并由于其透明特性可利用光信号接收装置接收led芯片发光时的光信号并进行检测。
2、本申请还提出一种上述用于led芯片非电接触el检测的电极板结构的制备方法。
3、本申请还提出一种上述用于led芯片非电接触el检测的电极板结构的使用方法。
4、根据本申请第一方面实施例的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，包括：
5、透明基板层；
6、ito层，设置在所述透明基板层上；
7、金属网格层，设置在所述ito层上，所述金属网格层包括导电金属和电流聚集导路结构，所述导电金属呈网格设置形成金属区域并限定出多个网格空隙，所述网格空隙用于放置led芯片，且所述电流聚集导路结构分别设置在各所述网格空隙内，且所述电流聚集导路结构的一端从所述金属区域引出，所述电流聚集导路结
8、根据本申请的第一方面实施例的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，至少具有如下有益效果：通过金属网格层和ito层的设置，使得此电极板结构兼具金属导电的高导电率特性以及ito导电的透明特性，在交流电的驱动下，可与另一电极板耦合出高强度的周期变化的电场，驱动led芯片内部载流子往复运动，实现非电接触驱动led芯片电致发光，并由于其透明特性可利用光信号接收装置接收led芯片发光时的光信号，适用于led芯片非电接触el检测。
9、根据本申请的第一方面实施例所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，所述电流聚集导路结构的另一端设置为尖端结构。
10、根据本申请的第一方面实施例所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，所述电流聚集导路结构的另一端延伸至所述网格空隙内的中心位置。
11、根据本申请的第一方面实施例所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，所述电流聚集导路结构的宽度小于待检测的led芯片的宽度尺寸的十分之一。
12、根据本申请的第一方面实施例所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，所述透明基板层为由绝缘材料制备的透明硬质板，表面粗糙度ra≤0.4μm。
13、根据本申请的第一方面实施例所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，所述ito层均匀覆盖在所述透明基板层的上表面，所述ito层的厚度为100nm-500nm。
14、根据本申请的第一方面实施例所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，所述金属网格层的厚度为100nm-1000nm。
15、根据本申请第二方面实施例的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构的制备方法，包括以下步骤：
16、s1：通过溅射、蒸镀、电镀或化学气相沉积的方式，利用特制光刻掩膜版的掩盖，将ito紧密且均匀地覆盖在透明基板层的上表面，形成具有特定厚度的ito层；
17、s2：通过溅射、蒸镀、电镀或化学气相沉积的方式，利用特制光刻掩膜版的掩盖，将导电金属紧密且均匀地覆盖在ito层的上表面形成具有特定形状和厚度的金属网格，得到所述金属网格层。
18、根据本申请第三方面实施例的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构的使用方法，包括以下步骤：
19、s1：将多个led芯片阵列式摆放在一个导电基板上，led芯片摆放形成的阵列与所述金属网格层的网格阵列对应；
20、s2：将所述电极板结构覆盖在阵列式摆放的led芯片上，覆盖时所述金属网格层的阵列式网格区域与阵列式摆放的led芯片分别靠近，使所述导电基板、所述led芯片和所述电极板结构依次设置；
21、s3：将导电基板和所述电极板结构分别接通电源的两极，并施加交流电，导电基板与所述电极板结构之间产生周期变化的电场，实现非电接触驱动led芯片电致发光，透过所述透明基板层和所述ito层对led芯片进行观察以及接收led芯片发出的光信号。
22、根据本申请的第三方面实施例所述的制备方法，s2中，根据led芯片是否带有绝缘衬底确定接触方式；
23、led芯片带有绝缘衬底时，采用直接接触的方式依次设置；
24、led芯片不带有绝缘衬底时，在所述电极板结构和led芯片之间设置绝缘介质层。
25、不难理解，本申请第二方面实施例中的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构的制备方法和本申请第三方面实施例中的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构的使用方法，均具有如前所述第一方面实施例中的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构的技术效果，因而不再赘述。
26、本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种用于LED芯片非电接触EL检测的电极板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于LED芯片非电接触EL检测的电极板结构，其特征在于：所述电流聚集导路结构的另一端设置为尖端结构。
3.根据权利要求2所述的用于LED芯片非电接触EL检测的电极板结构，其特征在于：所述电流聚集导路结构的另一端延伸至所述网格空隙内的中心位置。
4.根据权利要求1所述的用于LED芯片非电接触EL检测的电极板结构，其特征在于：所述电流聚集导路结构的宽度小于待检测的LED芯片的宽度尺寸的十分之一。
5.根据权利要求1所述的用于LED芯片非电接触EL检测的电极板结构，其特征在于：所述透明基板层为由绝缘材料制备的透明硬质板，表面粗糙度Ra≤0.4μm。
6.根据权利要求1所述的用于LED芯片非电接触EL检测的电极板结构，其特征在于：所述ITO层均匀覆盖在所述透明基板层的上表面，所述ITO层的厚度为100nm-500nm。
7.根据权利要求6所述的用于LED芯片非电接触EL检测的电极板结构，其特征在于：所述金属网格层的厚度为1
8.一种如权利要求1至7任一项所述的用于LED芯片非电接触EL检测的电极板结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.一种如权利要求1至7任一项所述的用于LED芯片非电接触EL检测的电极板结构的使用方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求8所述的使用方法，其特征在于：S2中，根据LED芯片是否带有绝缘衬底确定接触方式；
...【技术特征摘要】
1.一种用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，其特征在于：所述电流聚集导路结构的另一端设置为尖端结构。
3.根据权利要求2所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，其特征在于：所述电流聚集导路结构的另一端延伸至所述网格空隙内的中心位置。
4.根据权利要求1所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，其特征在于：所述电流聚集导路结构的宽度小于待检测的led芯片的宽度尺寸的十分之一。
5.根据权利要求1所述的用于led芯片非电接触el检测的电极板结构，其特征在于：所述透明基板层为由绝缘材料制备的透明硬质板，表面粗糙度ra≤0.4μm。
【专利技术属性】
技术研发人员：李宗涛，李勇，余彬海，李家声，丁鑫锐，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：
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