【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池，更具体地，涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)电池采用背面隧穿氧化层和掺杂多晶硅的复合结构，形成良好的钝化接触，可提升电池的性能。
2、目前，topcon电池制备时，先通过高温掺杂对硅基体掺硼，以与硅基体形成pn结，然后，在背面制备隧穿氧化层和钝化层，并进行栅线制备。尽管topcon电池中发射极层掺杂浓度越高越有利于提高电池的转化效率，但是，发射极掺杂浓度高会造成表面死层太多、表面复合增大、蓝光响应降低、开压电流损失增大，并且，掺杂推进难度也会增大，因此，即使在现有的topcon电池中提高发射极的掺杂浓度，电池的转化效率也难以进一步提高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供了一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，旨在提高电池转化效率。
2、第一方面，本申请提供一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
3、对n型的基体制绒；
4、对制绒后的所述基体正面进行硼扩散，以在所述基体正面形成p型的发射极层，同时，硼扩散后在所述基体的表面形成bsg；
5、采用激光对所述基体正面的栅线区进行掺杂推进；
6、去除所述基体表面的bsg；
7、在所述基体背面制备钝化接触结构；
8、去除所述基体正面和侧面的多晶硅、psg，在所述发射极层上沉积第一
9、在所述第一本征非晶硅层上制备正面钝化结构，在所述基体的背面制备背面钝化结构；
10、采用含铝的银浆在所述基体正面制备第一电极，在所述基体的背面制备第二电极；
11、对基体进行烧结，所述第一电极与所述发射极层形成欧姆接触，所述第一本征非晶硅层在靠近所述第一电极的接触区形成掺铝多晶硅。
12、可选地，所述钝化接触结构的制备过程包括：
13、在所述基体背面沉积隧穿氧化层；
14、在所述隧穿氧化层上沉积第二本征非晶硅层；
15、对所述第二本征非晶硅层进行磷扩散生成掺杂多晶硅层。
16、可选地，所述正面钝化结构包括正面钝化层和第一减反射层，所述正面钝化结构的制备过程包括：
17、在所述第一本征非晶硅层上沉积正面钝化层，在所述正面钝化层上沉积第一减反射层。
18、可选地，所述背面钝化结构包括第二减反射层，所述第二减反射层的制备过程包括：
19、对所述第二掺杂多晶硅的表面进行碱抛光，在所述掺杂多晶硅层上制备第二减反射层。
20、可选地，所述第一本征非晶硅层采用pecvd生成，其中，管式炉电离sih4，硅烷流量为2800sccm-3500sccm，工艺压力为2300pa-3150pa，射频功率为10000w-15000w，电离时间为15s-30s。
21、第二方面，本申请提供一种太阳能电池，采用第一方面提供的所述的太阳能电池的制备方法制作而成，包括：
22、n型的基体；
23、设置在所述基体正面的第一电极；
24、设置在所述基体背面的第二电极；
25、沿着背离所述基体的方向，依次设置在所述基体正面的p型的发射极层和正面多晶硅层；
26、所述发射极层与所述基体形成pn结，所述第一电极为含铝材料，所述第一电极穿设于所述正面多晶硅层，且所述第一电极与所述发射极层接触；
27、所述正面多晶硅层包括接触部分和非接触部分，所述接触部分围绕所述第一电极且与所述第一电极接触，所述非接触部分不与所述第一电极接触，所述接触部分包括掺铝多晶硅，所述非接触部分包括本征多晶硅。
28、可选地，沿着背离所述基体的方向，所述正面多晶硅层上依次设置正面钝化层和第一减反射层，所述第一电极穿设在所述正面钝化层和所述第一减反射层中。
29、可选地，沿背离所述基体的方向，在所述基体背面依次设置隧穿氧化层、掺杂多晶硅层和第二减反射层，所述第二电极穿设于所述第二减反射层且与所述掺杂多晶硅层接触。
30、可选地，所述正面多晶硅层的厚度为5nm～8nm。
31、第三方面，本申请提供一种光伏组件，包括本申请第二方面提供的所述的太阳能电池。
32、与现有技术相比，本申请提供的太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件，至少实现了如下的有益效果：
33、通过在发射极层上沉积第一本征非晶硅层，并采用含铝的银浆在基体正面制备第一电极，在对基体进行烧结时，第一电极的浆料穿过第一本征非晶硅层，与发射极层形成欧姆接触，同时，因为第一电极的浆料中包含铝，因此第一本征非晶硅层中，第一电极浆料中的铝诱导靠近第一电极的接触区处非晶硅转形成掺铝多晶硅，此外，在基体正面栅线区进行了激光掺杂，即在接触区可以形成重掺杂(p++)，非接触区可以形成轻掺杂(p+)。如此，基体正面栅线区的重掺杂浓度比现有topcon电池的正面栅线区的重掺杂浓度更高，相比于现有技术，位于发射极层上层的接触区不会造成表面复合等问题，因此，基体正面形成的横向的高低结，可以有效降低金属复合和正面表面复合，以解决转化效率难以进一步提高的问题，能够提升topcon电池的短路电流和填充因子，实现有效提升电池的转换效率的效果。
34、当然，实施本申请的任一产品不必特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
35、通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征及其优点将会变得清楚。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钝化接触结构的制备过程包括：
3.如权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述正面钝化结构包括正面钝化层和第一减反射层，所述正面钝化结构的制备过程包括：
4.如权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背面钝化结构包括第二减反射层，所述第二减反射层的制备过程包括：
5.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一本征非晶硅层采用PECVD生成，其中，管式炉电离SiH4，硅烷流量为2800sccm-3500sccm，工艺压力为2300pa-3150pa，射频功率为10000W-15000W，电离时间为15s-30s。
6.一种太阳能电池，其特征在于，采用如权利要求1～5中任一项所述的太阳能电池的制备方法制作而成，包括：
7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，沿着背离所述基体的方向，所述正面多晶硅层上依次设置正面钝化层和第一减反射层，所述第一电极穿设
8.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，沿背离所述基体的方向，在所述基体背面依次设置隧穿氧化层、掺杂多晶硅层和第二减反射层，所述第二电极穿设于所述第二减反射层且与所述掺杂多晶硅层接触。
9.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面多晶硅层的厚度为5nm～8nm。
10.一种光伏组件，包括权利要求6～9任一项所述的太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钝化接触结构的制备过程包括：
3.如权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述正面钝化结构包括正面钝化层和第一减反射层，所述正面钝化结构的制备过程包括：
4.如权利要求3所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背面钝化结构包括第二减反射层，所述第二减反射层的制备过程包括：
5.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述第一本征非晶硅层采用pecvd生成，其中，管式炉电离sih4，硅烷流量为2800sccm-3500sccm，工艺压力为2300pa-3150pa，射频功率为10000w-15000w，电离时...
【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，苗劲飞，苗丽燕，曾庆云，邱彦凯，王岩，
申请(专利权)人：晶科能源上饶有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。