一种改善Efuse均匀性的方法技术

本发明专利技术提供一种改善Efuse均匀性的方法，晶圆上包含有用于形成Efuse阳极的阳极结构和用于形成efuse阴极的阴极结构；阴极结构覆盖有氧化层以及形成在氧化层上的SiN层；在晶圆上旋涂光刻胶，并进行曝光和显影；其中阴极结构的区域不被显影；对晶圆进行SAB刻蚀，其中由于阴极结构的区域被光刻胶覆盖不进行刻蚀；去除所述阴极结构上的光刻胶，之后对晶圆SAB刻蚀后的区域进行氧化层的去除；在阳极结构上形成金属硅化物。本发明专利技术利用现有工艺SAB氮化硅保护Efuse阴极，使阴极在后续工艺过程中中形成无金属硅化物结构，从而显著改善Efuse编程后电阻值的均匀性，大大提升Efuse的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改善efuse均匀性的方法。

技术介绍

1、随着半导体工艺制程的进步，芯片的集成度越来越高，但与此同时，芯片内部越来越容易出现各种缺陷，这严重影响了芯片的良率及可靠性。efuse(electricallyprogrammable fuse)属于一次可编程存储器技术，当芯片发生故障时，可利用efuse构成的冗余电路替换失效的故障电路模块，还可通过读取efuse存储电路中的信息，对芯片的输出进行调整，改善芯片的工作性能。因此，efuse对提升芯片良率及可靠性具有十分重要的作用。

2、efuse利用电迁移和热熔断现象实现编程前后电阻值的变化，其电阻值在编程前后的稳定性、均匀性直接影响其编程效果及可靠性，进而影响芯片的良率。因此本方法提出一种改善efuse均匀性的方法，利用sab nitride使阴极形成non-silicide，通过降低金属原子迁移量，使金属原子电迁移更充分，从而改善编程后阻值均匀性。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善Efuse均匀性的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的改善Efuse均匀性的方法，其特征在于：步骤一中的所述阴极结构包括栅极结构，所述栅极结构包括有多晶硅结构和依附于所述多晶硅结构侧壁的侧墙。

3.根据权利要求1所述的改善Efuse均匀性的方法，其特征在于：步骤二中所述阳极结构的区域被显影。

4.根据权利要求1所述的改善Efuse均匀性的方法，其特征在于：步骤三中对所述晶圆的所述阳极结构的区域进行SAB刻蚀。

5.根据权利要求1所述的改善Efuse均匀性的方法，其特征在于：步骤四中利用湿法刻蚀去除所述氧化层。<...

【技术特征摘要】

1.一种改善efuse均匀性的方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的改善efuse均匀性的方法，其特征在于：步骤一中的所述阴极结构包括栅极结构，所述栅极结构包括有多晶硅结构和依附于所述多晶硅结构侧壁的侧墙。

3.根据权利要求1所述的改善efuse均匀性的方法，其特征在于：步骤二中所述阳极结构的区域被显影。

4.根据权利要求1所述的改善efuse均匀性的方法，其特征在于：步骤三中对所述晶圆的所述阳极结构的区域进行sab刻蚀。

5.根据权利要求1所述的改善ef...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕赛楠，郭振强，李岩，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：