【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光通信，更具体地，涉及一种低损模场适配器及其制备方法。
技术介绍
1、针对大模场光纤与单模光纤的熔接，国内外学者已提出了多种方法，例如部分现有研究将热致扩芯处理后的单模光纤与大模场光纤直接进行熔接，但此方法得到的耦合损耗较高。例如，在空芯反谐振光纤的实际应用中，经常需要解决单模光纤与空芯光纤的低损耗耦合问题，高的耦合损耗不仅影响信号在空芯光纤中的长距离传输，还会对其误码率造成一定的影响，产生这一问题的主要原因为单模光纤与空芯光纤的模场发生失配，而如何获得极低的耦合损耗是本领域需要解决的一个技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术通过提供一种低损模场适配器及其制备方法，解决现有技术中单模光纤与大模场光纤的耦合损耗较高的问题。
2、本专利技术提供一种低损模场适配器的制备方法，包括以下步骤：
3、获取渐变折射率多模过渡纤，所述渐变折射率多模过渡纤具有选定的自聚焦常数；对单模光纤进行热加工，使热加工后得到的单模光纤的出射光束的模场直径和数值孔径均在目标范围内；
4、将热加工后得到的单模光纤与所述渐变折射率多模过渡纤进行熔接，得到模场适配器。
5、优选的，所述对单模光纤进行热加工为对单模光纤进行热扩芯或反向熔融拉锥处理。
6、优选的，所述对单模光纤进行热加工为对单模光纤进行正向熔融拉锥处理。
7、优选的，所述渐变折射率多模过渡纤的长度为四分之一节距。
8、优选的，所述获取渐变折射率多模过渡纤包括
9、选取多个具有不同自聚焦常数的渐变折射率多模过渡纤作为备选多模过渡纤；
10、针对每个备选多模过渡纤，将备选多模过渡纤的一端与单模光纤的一端熔接，并分别测量该备选多模过渡纤在截取不同长度时所对应的出射光束的模场直径，根据测量结果确定该备选多模过渡纤的四分之一节距以及四分之一节距处的模场直径；
11、将多个备选多模过渡纤的四分之一节距处的模场直径与作为耦合对象的大模场光纤的模场直径进行比较，选择模场直径最接近的一个备选多模过渡纤作为具有选定的自聚焦常数的渐变折射率多模过渡纤。
12、另一方面，本专利技术提供一种低损模场适配器，包括：
13、单模光纤，所述单模光纤的一端经热加工处理，热加工后得到的单模光纤的出射光束的模场直径和数值孔径均在目标范围内；
14、渐变折射率多模过渡纤，所述渐变折射率多模过渡纤具有选定的自聚焦常数；
15、所述渐变折射率多模过渡纤的一端用于与所述单模光纤经热加工处理的一端熔接，所述渐变折射率多模过渡纤的另一端用于与作为耦合对象的大模场光纤连接，所述大模场光纤的模场直径大于所述单模光纤的模场直径。
16、优选的，所述热加工处理为热扩芯或反向熔融拉锥处理。
17、优选的，所述热加工处理为正向熔融拉锥处理。
18、优选的，所述渐变折射率多模过渡纤的长度为四分之一节距。
19、优选的，所述大模场光纤为空芯光纤。
20、本专利技术中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
21、本专利技术一方面获取具有选定的自聚焦常数的渐变折射率多模过渡纤，另一方面对单模光纤进行热加工，使热加工后得到的单模光纤的出射光束的模场直径和数值孔径均在目标范围内；然后将热加工后得到的单模光纤与渐变折射率多模过渡纤进行熔接得到模场适配器。即本专利技术将热加工技术与熔接过渡纤技术相结合，制备了一种模场适配器，并优化了该模场适配器的制作参数，因此能够更好地实现单模光纤与大模场光纤的低损耗耦合。
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1.一种低损模场适配器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的低损模场适配器的制备方法，其特征在于，所述对单模光纤进行热加工为对单模光纤进行热扩芯或反向熔融拉锥处理。
3.根据权利要求1所述的低损模场适配器的制备方法，其特征在于，所述对单模光纤进行热加工为对单模光纤进行正向熔融拉锥处理。
4.根据权利要求1所述的低损模场适配器的制备方法，其特征在于，所述渐变折射率多模过渡纤的长度为四分之一节距。
5.根据权利要求1所述的低损模场适配器的制备方法，其特征在于，所述获取渐变折射率多模过渡纤包括以下步骤：
6.一种低损模场适配器，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的低损模场适配器，其特征在于，所述热加工处理为热扩芯或反向熔融拉锥处理。
8.根据权利要求6所述的低损模场适配器，其特征在于，所述热加工处理为正向熔融拉锥处理。
9.根据权利要求6所述的低损模场适配器，其特征在于，所述渐变折射率多模过渡纤的长度为四分之一节距。
10.根据权利要求6所述的低
...【技术特征摘要】
1.一种低损模场适配器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的低损模场适配器的制备方法，其特征在于，所述对单模光纤进行热加工为对单模光纤进行热扩芯或反向熔融拉锥处理。
3.根据权利要求1所述的低损模场适配器的制备方法，其特征在于，所述对单模光纤进行热加工为对单模光纤进行正向熔融拉锥处理。
4.根据权利要求1所述的低损模场适配器的制备方法，其特征在于，所述渐变折射率多模过渡纤的长度为四分之一节距。
5.根据权利要求1所述的低损模场适配器的制备方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：王晓凯，褚俊，李鹏，张立岩，刘亚萍，周家慧，张磊，熊壮，
申请(专利权)人：长飞光纤光缆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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