【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆去除量检测设备、方法及计算机存储介质。
技术介绍
1、研磨(lapping)大多采用双面研磨的方式，其一个重要目的在于去除切片造成的线痕及表面损伤层，同时使硅片厚度达到下一步工序的要求。硅片上下面研磨去除的厚度须满足一定的量，才能达到上述的目的。因此，研磨过程中硅片厚度去除量的测量就尤为重要。
2、现有技术中的去除量的检测通常采用称重取差值的方式来计算去除量，消耗人力资源且在人为操作时可能存在混片，人工夹持样片测量过程中可能存在碎片现象，并且有污染样片的风险。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供一种晶圆去除量检测设备、方法及计算机存储介质；能够解决去除量检测过程中存在的人工成本较高，晶圆污染率较高，混片率较高的技术问题。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供了一种晶圆去除量检测设备，包括：
4、底板，用于放置晶圆承载装置；
5、厚度检测装置，固定于所述底板，所述厚度检测装置包括激光发射器和激光接收器，所述激光发射器与所述激光接收器相对设置，使得所述激光接收器能够接收所述激光发射器发射的激光；
6、晶圆承载装置，用于承载至少一个晶圆，设置于所述底板，且位于所述激光发射器和激光接收器之间，所述晶圆承载装置能够使得所述晶圆的径向表面与所述激光发射器的光路方向平行；
7、控制器，连接于所述厚度检测装置，用于采集加工
8、可选的，所述检测设备还包括：
9、侧板，与所述底板垂直设置，所述侧板上设置有与所述底板平行的支架；
10、所述厚度检测装置固定于所述支架，且能够沿所述支架移动。
11、可选的，所述支架包括：
12、滑轨；
13、滑块，与所述滑轨适配，用于固定所述厚度检测装置；
14、驱动装置，用于驱动所述滑块沿所述滑轨移动。
15、可选的，所述支架包括：
16、第一固定板，垂直固定于所述侧板；
17、第二固定板，垂直固定于所述侧板，且与所述第一固定板相对设置；
18、滑竿，固定于所述第一固定板与所述第二固定板之间；
19、滑块，用于固定所述厚度检测装置，所述滑块设置有通孔，所述滑竿穿过所述滑块，以使得所述滑块能够沿所述滑竿移动。
20、可选的，所述滑块设置有螺纹孔；所述驱动装置包括：
21、螺杆，与所述螺纹孔适配，所述螺杆穿过所述螺纹孔，且固定于所述支架；
22、驱动电机，用于驱动所述螺杆转动，进而驱动所述滑块沿所述滑轨移动。
23、可选的，所述激光接收器设置于所述滑块；所述厚度检测装置还包括：
24、连接支架，一端连接与所述滑块，另一端链接与所述激光发射器，用于固定所述激光发射器。
25、可选的，所述底板包括与所述激光发射器光路方向垂直的滑槽；
26、所述晶圆承载装置能够沿所述滑槽移动。
27、第二方面，本公开实施例提供了晶圆去除量检测方法，应用于第一方面所述的晶圆去除量检测设备，所述方法包括：
28、接收所述激光发射器的信息，并基于所述信息获取加工前晶圆和加工后晶圆的厚度差；
29、根据所述厚度差确定加工过程中晶圆的去除量。
30、可选的，所述获取加工前晶圆和加工后晶圆的厚度差包括：
31、在所述晶圆承载装置承载加工前晶圆时，获取加工前晶圆的第一厚度；
32、在所述晶圆承载装置承载加工后晶圆时，获取加工后晶圆的第二厚度；
33、基于所述第一厚度和第二厚度确定所述厚度差。
34、可选的，所述方法还包括：
35、响应所述厚度差在阈值范围等于所述第一厚度，输出晶圆破碎信号。
36、第三方面，本公开实施例提供了一种计算机存储介质，所述存储介质存储有至少一条指令，所述至少一条指令用于被处理器执行以实现如上述第二方面所述的晶圆去除量检测方法。
37、本公开实施例提供了一种晶圆去除量检测设备、方法及计算机存储介质；利用激光发射器和激光接收器采集晶圆的厚度信息，并基于上述厚度信息获取厚度差来确定晶圆加工前后的去除量，无需人工称重，降低了人工成本，避免了人为操作出现的混片以及污染晶圆的问题，提升了对晶圆去除量的检测效率。
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1.一种晶圆去除量检测设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测设备，其特征在于，所述检测设备还包括：
3.根据权利要求2所述的检测设备，其特征在于，所述支架包括：
4.根据权利要求2所述的检测设备，其特征在于，所述支架包括：
5.根据权利要求3或4任一项所述的检测设备，其特征在于，所述滑块设置有螺纹孔；所述驱动装置包括：
6.根据权利要求3或4任一项所述的检测设备，其特征在于，所述激光接收器设置于所述滑块；所述厚度检测装置还包括：
7.根据权利要求1所述的检测设备，其特征在于，所述底板包括与所述激光发射器光路方向垂直的滑槽；
8.一种晶圆去除量检测方法，其特征在于，应用于权利要求1至7任一项所述的晶圆去除量检测设备；所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述获取加工前晶圆和加工后晶圆的厚度差包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
11.一种计算机存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有至少一条指令，
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆去除量检测设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测设备，其特征在于，所述检测设备还包括：
3.根据权利要求2所述的检测设备，其特征在于，所述支架包括：
4.根据权利要求2所述的检测设备，其特征在于，所述支架包括：
5.根据权利要求3或4任一项所述的检测设备，其特征在于，所述滑块设置有螺纹孔；所述驱动装置包括：
6.根据权利要求3或4任一项所述的检测设备，其特征在于，所述激光接收器设置于所述滑块；所述厚度检测装置还包括：
7.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨舒乐，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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