【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆翘曲形变测试，具体为一种半导体晶圆翘曲形变测试设备。
技术介绍
1、半导体晶圆在制程中，经过热处理是必要的，例如使用氧化硅膜作为隔绝层，或应用于流动膜的回流制程等；然而不同批次或不同类型的半导体晶圆具有不同的最高受温能力，当超过能承受的温度时，将会使半导体晶圆发生翘曲，导致不良品产生。
2、根据专利号为cn110763149b所述的一种半导体晶圆翘曲形变测试设备，在进行检测时，检测效率低，只能依次对单个晶圆进行检测，并且在更换不同晶圆时，容易导致大量的热量逸散，在内部有一定温度基础的情况下需要降温才能进行不同温度的检测。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种半导体晶圆翘曲形变测试设备，解决了上述提出的问题。
2、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种半导体晶圆翘曲形变测试设备，包括环形输送机构和固定在环形输送机构上方的测试箱，所述测试箱的内腔通过隔断板隔断有多个测试腔，多个所述测试腔的内腔均内置有电热装置，且...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆翘曲形变测试设备，包括环形输送机构(1)和固定在环形输送机构(1)上方的测试箱(2)，其特征在于：所述测试箱(2)的内腔通过隔断板隔断有多个测试腔(3)，多个所述测试腔(3)的内腔均内置有电热装置，且测试腔(3)从左到右温度逐级升高，所述环形输送机构(1)输送带的表面传动连接有测试工装(4)，测试工装(4)设置有多个，且头尾相互卡接，所述测试箱(2)的内腔开设有用于测试工装(4)贯穿的贯穿槽(15)；
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆翘曲形变测试设备，其特征在于：所述贯穿槽(15)与测试工装(4)接触处设置有弹性密封垫。
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