【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微纳光学元件，具体而言，涉及一种用于套叠加工误差读取的方法和对准图形。
技术介绍
1、在微纳光学元件加工领域中，大多数元件的加工过程均涉及套叠加工工序，同时套叠加工工序还涉及一些套叠加工工具，例如光刻机和压印机。套叠加工的精度是决定加工性能的重要因素。
2、在光刻机作业过程中，首先使用a模板对晶圆进行图形化加工，然后更换为b模板对晶圆进行二次图形化加工。根据实际制程，存在多次的分步加工。因为a模板和b模板的图形化结构存在一定关联，那么工艺中是需要将分步加工的图形准确的套叠在一起。光刻加工中，这种套叠称为套刻。同比于微纳光学中的压印工艺，这种套叠则称为套印。
3、精细化的结构尺寸和对准图形的相关联性，给套叠精度提出了更高的要求。从套叠过程来看，作业加工精度主要与对准图形的设计位置和图案形状有关。区别于半导体工艺，微纳光学元件的套叠加工精度略低。其加工精度，一般是以光学显微镜作为检测工具，误差范围是微米量级。那么快速有效的从套叠对准图形中获取套叠加工误差，是国内外研究重点关注的课题之一。但是，目前基于微纳光学元件的套叠加工，鲜少有可显示套叠误差的对准图形方面的研究。
4、也就是说，现有技术中的套叠加工误差读取存在实现困难的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种用于套叠加工误差读取的方法和对准图形，以解决现有技术中的套叠加工误差读取存在实现困难的问题。
2、为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了
3、进一步地，当对准结构为多组时，多组对准结构为两组。
4、进一步地，第一部分包括主图形和附属图形，主图形位于套叠加工工具的模板上，附属图形位于套叠加工工具的基片上，当模板与基片套叠对准后，主图形和附属图形至少部分重合。
5、进一步地，误差测量图形为刻度图形。
6、进一步地，第二部分包括游标主尺图案和游标副尺图案，游标主尺图案位于套叠加工工具的模板和基片中的一者上，游标副尺图案位于模板和基片中的另一者上，当模板与基片套叠对准后，游标主尺图案与游标副尺图案适配。
7、进一步地，主图形和附属图形中的至少一个为全封闭图形，主图形和附属图形中的至少一个为对称图形。
8、进一步地，主图形的形状为多边形、圆形、椭圆形中的一种；和/或附属图形的形状为多边形、圆形、椭圆形中的一种。
9、进一步地，第一部分还包括辅助线，辅助线为多条，多条辅助线位于主图形和/或附属图形的外周且等间隔设置。
10、进一步地，主图形和附属图形的形状相同，主图形和附属图形的大小相同或不同，当主图形和附属图形的大小不同时，主图形的尺寸与附属图形的尺寸之间的比值大于等于1.05。
11、进一步地，当主图形和附属图形均为多边形时，附属图形还包括辅助线，辅助线为多条，多条辅助线的一端与多边形的多个顶点一一对应连接，且多条辅助线的另一端沿远离对应连接的顶点的方向延伸，当模板与基片套叠对准后，附属图形落入主图形内，且主图形的顶点位于附属图形的辅助线上。
12、进一步地，主图形和附属图形的形状不同，主图形为圆形，附属图形为多边形，当模板与基片套叠对准后，多边形落入圆形内，且多边形的各顶点均在圆形的边上。
13、进一步地，游标主尺图案为具有正负量程的刻度图案，游标副尺图案为零刻度线或者具有正负量程的刻度图案。
14、进一步地，游标主尺图案的量程大于等于1微米，分度值大于等于0.1微米；和/或当游标副尺图案为具有正负量程的刻度图案时，游标副尺图案包括多个等分分格。
15、进一步地，一组对准结构中的第一部分为一个，第二部分为四个，四个第二部分围成四边形结构，第一部分位于四边形结构的中心位置。
16、根据本专利技术的另一方面，提供了一种套叠加工误差读取的方法，套叠加工误差读取的方法采用上述用于套叠加工误差读取的对准图形进行误差读取，包括：对准步骤：将套叠加工工具的模板和基片进行套叠对准，以使对准图形的第一部分对准到位；读取步骤：识别读取对准图形的第二部分，以得到第一部分的至少两个方向的误差。
17、应用本专利技术的技术方案，用于套叠加工误差读取的对准图形包括一组或多组对准结构，当对准结构为多组时，多组对准结构分别位于套叠加工工具的套叠操作的多个间隔的成像区域一组对准结构包括第一部分和第二部分，第一部分为几何图形，第二部分为误差测量图形，第二部分为多个，多个第二部分绕第一部分的周向间隔设置，通过第一部分和第二部分实现套叠加工误差的快速读取。
18、当对准结构为多组时，多组对准结构分别位于套叠加工工具的套叠操作的多个间隔的成像区域，这样设置有利于实现套叠加工工具的对准工作，以保证对准准确性。一组对准结构包括第一部分和第二部分，第一部分为几何图形，第二部分为误差测量图形，第二部分为多个，多个第二部分绕第一部分的周向间隔设置，这样设置在对准过程中先利用第一部分的几何图形实现粗对准，然后利用第二部分的误差测量图形显示对准误差，从而快速读取出至少两个方向的对准误差，同时实现精对准，可采用光学显微镜作为表征工具，可从套叠加工后的误差测量图形中快速有效的读出套叠加工误差，以更高精度的方法实现检测套叠加工的误差，且该对准图形适用任何套叠加工工具，大大提高了应用范围。
19、另外，本申请的用于套叠加工误差读取的对准图形主要应用在微纳光学元件加工领域，区别半导体领域，微纳光学元件加工领域的加工精度略低，是微米量级的。一般需要以光学显微镜作为套叠加工误差的检测工具。本申请通过在套叠加工工具设计可显示套叠加工误差的对准图形，一方面，可以快速的实现粗对准，另一方面，可以根据实际套叠加工结果有效的衡量加工误差。落脚实际工艺加工，微纳光学领域的加工精度是微米量级，该对准图形可实现套叠加工，如uv光刻、纳米压印等等。
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1.一种用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，包括一组或多组对准结构(10)，当所述对准结构(10)为多组时，多组所述对准结构(10)分别位于套叠加工工具的套叠操作的多个间隔的成像区域，
2.根据权利要求1所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，当所述对准结构(10)为多组时，多组所述对准结构(10)为两组。
3.根据权利要求1所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，所述第一部分(11)包括主图形(111)和附属图形(112)，所述主图形(111)位于所述套叠加工工具的模板上，所述附属图形(112)位于所述套叠加工工具的基片上，当所述模板与所述基片套叠对准后，所述主图形(111)和所述附属图形(112)至少部分重合。
4.根据权利要求1所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，所述误差测量图形为刻度图形。
5.根据权利要求1所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，所述第二部分(12)包括游标主尺图案(121)和游标副尺图案(122)，所述游标主尺图案(121)位于所述套叠加工工具的模板和基
6.根据权利要求3所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，所述主图形(111)和所述附属图形(112)中的至少一个为全封闭图形，所述主图形(111)和所述附属图形(112)中的至少一个为对称图形。
7.根据权利要求3所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，
8.根据权利要求3所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，所述第一部分(11)还包括辅助线，所述辅助线为多条，多条所述辅助线位于所述主图形(111)和/或所述附属图形(112)的外周且等间隔设置。
9.根据权利要求3所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，所述主图形(111)和所述附属图形(112)的形状相同，所述主图形(111)和所述附属图形(112)的大小相同或不同，当所述主图形(111)和所述附属图形(112)的大小不同时，所述主图形(111)的尺寸与所述附属图形(112)的尺寸之间的比值大于等于1.05。
10.根据权利要求9所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，当所述主图形(111)和所述附属图形(112)均为多边形时，所述附属图形(112)还包括辅助线，所述辅助线为多条，多条辅助线的一端与所述多边形的多个顶点一一对应连接，且多条辅助线的另一端沿远离对应连接的所述顶点的方向延伸，当所述模板与所述基片套叠对准后，所述附属图形(112)落入所述主图形(111)内，且主图形(111)的顶点位于所述附属图形(112)的辅助线上。
...【技术特征摘要】
1.一种用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，包括一组或多组对准结构(10)，当所述对准结构(10)为多组时，多组所述对准结构(10)分别位于套叠加工工具的套叠操作的多个间隔的成像区域，
2.根据权利要求1所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，当所述对准结构(10)为多组时，多组所述对准结构(10)为两组。
3.根据权利要求1所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，所述第一部分(11)包括主图形(111)和附属图形(112)，所述主图形(111)位于所述套叠加工工具的模板上，所述附属图形(112)位于所述套叠加工工具的基片上，当所述模板与所述基片套叠对准后，所述主图形(111)和所述附属图形(112)至少部分重合。
4.根据权利要求1所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，所述误差测量图形为刻度图形。
5.根据权利要求1所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在于，所述第二部分(12)包括游标主尺图案(121)和游标副尺图案(122)，所述游标主尺图案(121)位于所述套叠加工工具的模板和基片中的一者上，所述游标副尺图案(122)位于所述模板和所述基片中的另一者上，当所述模板与所述基片套叠对准后，所述游标主尺图案(121)与所述游标副尺图案(122)适配。
6.根据权利要求3所述的用于套叠加工误差读取的对准图形，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：何冰晓，胡臻懿，汪杰，陈远，
申请(专利权)人：宁波舜宇奥来技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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