碳化硅半导体器件制造技术

技术编号：40643363 阅读：5 留言：0更新日期：2024-03-13 21:24

碳化硅半导体器件(201)具有碳化硅衬底(10)、以及第一主面(1)的上方的栅极焊盘(61)及源极焊盘(62)，在俯视观察时，所述碳化硅衬底具有：第一区域(101)，包括多个单位单元；第二区域(102)，与所述栅极焊盘重叠；以及第三区域(103)，与所述第二区域相连，所述多个单位单元分别具有：接触区(34)，设置于所述第一主面，与体区(32)电连接，具有第二导电型；以及栅极绝缘膜(43)，设置于漂移区(31)、所述体区及源极区(33)与栅电极(51)之间，所述第二区域具有所述第二导电型的第一半导体区域(121)，所述第三区域具有所述第二导电型的第二半导体区域(122)，所述第一半导体区域及所述第二半导体区域在所述第一主面中彼此相连，所述源极区、所述接触区及所述第二半导体区域与所述源极焊盘电连接。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及碳化硅半导体器件。本申请主张以2021年9月15日申请的日本申请第2021-150121号为基础的优先权，并引用所述日本申请中记载的所有记载内容。

技术介绍

1、公开了一种以抑制开关时的栅电极与源电极之间的绝缘破坏为目的的碳化硅半导体器件(例如，专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017-5278号公报

技术实现思路

1、本公开的碳化硅半导体器件具有：碳化硅衬底，具有第一主面；以及栅极焊盘及源极焊盘，设置于所述第一主面的上方，在从与所述第一主面垂直的方向俯视观察时，所述碳化硅衬底具有：第一区域，包括多个单位单元；第二区域，与所述栅极焊盘重叠；以及第三区域，与所述第二区域相连，所述多个单位单元分别具有：漂移区，具有第一导电型；体区，具有与所述第一导电型不同的第二导电型；源极区，设置于所述第一主面，通过所述体区而与所述漂移区隔开，具有所述第一导电型；接触区，设置于所述第一主面，与所述体区电连接，具有所述第二导电型；栅电极，与所述栅极焊盘电连接；以及栅极绝缘膜，设置于所述漂移区、所述体区及所述源极区与所述栅电极之间，所述第二区域具有第一半导体区域，所述第一半导体区域具有所述第二导电型，所述第三区域具有第二半导体区域，所述第二半导体区域具有所述第二导电型，所述第一半导体区域及所述第二半导体区域在所述第一主面中彼此相连，具有设置于所述第一半导体区域与所述栅极焊盘之间的层间绝缘膜，所述源极区、所述接触区及所述第

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【技术保护点】

1.一种碳化硅半导体器件，具有：

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，

3.根据权利要求1或2所述的碳化硅半导体器件，其中，

4.根据权利要求3所述的碳化硅半导体器件，其中，

5.根据权利要求3或4所述的碳化硅半导体器件，其中，

6.根据权利要求5所述的碳化硅半导体器件，其中，

7.根据权利要求5或6所述的碳化硅半导体器件，其中，

8.根据权利要求5至7中任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，

9.根据权利要求3至8中任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，

10.根据权利要求1至9中任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，

11.根据权利要求10所述的碳化硅半导体器件，其中，

12.根据权利要求10所述的碳化硅半导体器件，其中，

13.根据权利要求12所述的碳化硅半导体器件，其中，

14.根据权利要求10至13中任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，

15.根据权利要求10至13中任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，

16.根据权利要求10至15中任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，

17.根据权利要求1至9中任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】