【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，具体涉及一种显示基板及其制备方法和显示装置。
技术介绍
1、为了满足安装光学部件的需求，一般需要在显示基板中设置开孔区，开孔区用于容置光学部件。所述显示基板的显示区和开孔区之间设置隔离柱，用于阻挡发光层在显示区至开孔区的连续性，实现开孔区至显示区的水汽隔离。然而，相关技术中的隔离柱虽然阻断了发光层在显示区至开孔区的连续性，但是发光层的材料与隔离柱搭接，发光层与隔离柱实现了电路通路，导致外部电荷进入隔离柱进而对隔离柱进行电化学腐蚀，进而导致隔离柱底部的膜层腐蚀膨胀，导致开孔区周围、隔离柱底部以及显示区中靠近隔离柱的膜层发生分离，导致显示基板的可靠性降低。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题在于如何降低相关技术中显示基板的可靠性较低的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种显示基板，所述显示基板具有显示区、开孔区以及位于所述显示区与所述开孔区之间的过渡区；所述显示基板包括：衬底层；位于所述显示区的所述衬底层上的驱动电路层，所述驱动电路层中的多层介质层还延伸至所述过渡区的所述衬底层上；位于所述过渡区的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层位于任意相邻层的所述介质层之间；位于所述过渡区且位于所述介质层中的隔离槽，所述隔离槽包括连通的第一槽区和第二槽区，所述第一槽区沿所述显示区至所述开孔区的方向位于所述刻蚀阻挡层的两侧，所述第二槽区位于所述刻蚀阻挡层背离所述衬底层的一侧且延伸至所述第一槽区的上方；所述刻蚀阻挡层的侧壁为所述第一槽区的侧壁，所述刻蚀阻挡
3、可选的，所述刻蚀阻挡层的材料包括钼、多晶硅和氧化铟镓锌中的任意一种。
4、可选的，所述刻蚀阻挡层的厚度为0.02微米～0.4微米。
5、可选的，所述刻蚀阻挡层为单层结构或多层结构。
6、可选的，所述第一槽区横向背离所述刻蚀阻挡层的侧壁与所述刻蚀阻挡层的底部表面之间的夹角为直角、锐角或钝角，所述第二槽区的侧壁与所述刻蚀阻挡层的底部表面之间的夹角为钝角。
7、可选的，所述刻蚀阻挡层任意一侧的所述第一槽区的宽度大于1μm。
8、可选的，所述第一槽区横向背离所述刻蚀阻挡层的侧壁相对于所述第二槽区的侧壁横向凹进所述介质层内，所述第一槽区的侧壁和所述第二槽区的侧壁间隔设置；或者，所述第一槽区横向背离所述刻蚀阻挡层的侧壁与所述第二槽区的侧壁连接。
9、可选的，所述第二槽区的深度为0.6μm～1μm。
10、可选的，所述介质层为无机介质层。
11、可选的，所述驱动电路层中的多层介质层包括阻挡层、位于所述阻挡层背离所述衬底层一侧表面的缓冲层、位于所述缓冲层背离所述衬底层一侧的第一栅介质层、位于所述第一栅介质层背离所述衬底层一侧的电容介质层、以及位于所述电容介质层背离所述衬底层一侧的层间介质层。
12、可选的，所述层间介质层包括第一层间介质层和位于所述第一层间介质层背离所述衬底层一侧的第二层间介质层；所述驱动电路层中的多层介质层还包括：位于所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间的第二栅介质层。
13、可选的，所述刻蚀阻挡层位于所述阻挡层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述缓冲层、所述第一栅介质层、所述电容介质层和所述层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述缓冲层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述第一栅介质层、所述电容介质层和所述层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述第一栅介质层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述电容介质层和所述层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述电容介质层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述层间介质层。
14、可选的，所述刻蚀阻挡层位于所述第一层间介质层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述第二栅介质层和所述第二层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述第二栅介质层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述第二层间介质层。
15、可选的，所述驱动电路层还包括位于所述显示区的第一栅电极层，所述第一栅电极层位于所述第一栅介质层和所述电容介质层之间，或者，所述第一栅电极层位于所述第一栅介质层和所述缓冲层之间；所述刻蚀阻挡层和所述第一栅电极层的材料相同且同层设置。
16、可选的，所述驱动电路层还包括位于所述显示区的上电极层，所述上电极层位于所述电容介质层和所述层间介质层之间；所述刻蚀阻挡层和所述上电极层的材料相同且同层设置。
17、可选的，所述驱动电路层还包括位于所述显示区的第二栅电极层，所述第二栅电极层位于所述第二栅介质层和所述第一层间介质层之间，或者，所述第二栅电极层位于所述第二栅介质层和所述第二层间介质层之间；所述刻蚀阻挡层和所述第二栅电极层的材料相同且同层设置。
18、可选的，所述隔离槽的数量为若干个，若干个所述隔离槽包括间隔设置的内隔离槽和外隔离槽，所述内隔离槽位于所述开孔区和所述外隔离槽之间；所述显示基板还包括：位于所述内隔离槽和所述外隔离槽之间的所述多层介质层上的挡墙。
19、可选的，还包括：位于所述显示区且位于所述多层介质层背离所述衬底层一侧的发光层，所述发光层还延伸至所述过渡区，所述隔离槽中的所述发光层和所述隔离层侧部的所述多层介质层上的所述发光层断开。
20、本专利技术还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板具有显示区、开孔区以及位于所述显示区与所述开孔区之间的过渡区，包括：提供衬底层；在所述显示区的所述衬底层上形成驱动电路层，所述驱动电路层中的多层介质层还延伸至所述过渡区的所述衬底层上；在形成多层所述介质层的过程中，在所述过渡区的任意相邻层的所述介质层之间形成刻蚀阻挡层；在所述过渡区形成位于所述介质层中的隔离槽，所述隔离槽包括连通的第一槽区和第二槽区，所述第一槽区沿所述显示区至所述开孔区的方向位于所述刻蚀阻挡层的两侧，所述第二槽区位于所述刻蚀阻挡层背离所述衬底层的一侧且延伸至所述第一槽区的上方；所述刻蚀阻挡层的侧壁为所述第一槽区的侧壁，所述刻蚀阻挡层的顶部表面为所述第二槽区的底部表面；所述第一槽区横向背离所述刻蚀阻挡层的侧壁与所述刻蚀阻挡层的底部表面之间的夹角小于所述第二槽区的侧壁与所述刻蚀阻挡层的底部表面之间的夹角。
21、可选的，在所述过渡区形成位于所述介质层中的隔离槽的工艺为干刻工艺，所述干刻工艺对所述介质层的刻蚀速率大于对所述刻蚀阻挡层的刻蚀速率。
22、本专利技术还提供一种显示装置，包括:本专利技术的显示基板。
23、可选的，还包括：光学部件，所述光学部件位于所述显示基板的所述开孔区。
24、本专利技术技术方案具有以下技术效果：
25、本专利技术技术方案提供的显示基板，所述刻蚀阻挡层用于阻挡在刻蚀形成隔离槽的过程中刻蚀气体向下刻蚀。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板具有显示区、开孔区以及位于所述显示区与所述开孔区之间的过渡区；所述显示基板包括：
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括钼、多晶硅和氧化铟镓锌中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度为0.02微米～0.4微米。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为单层结构或多层结构。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一槽区横向背离所述刻蚀阻挡层的侧壁与所述刻蚀阻挡层的底部表面之间的夹角为直角、锐角或钝角，所述第二槽区的侧壁与所述刻蚀阻挡层的底部表面之间的夹角为钝角。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层任意一侧的所述第一槽区的宽度大于1μm。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一槽区横向背离所述刻蚀阻挡层的侧壁相对于所述第二槽区的侧壁横向凹进所述介质层内，所述第一槽区的侧壁和所述第二槽区的侧壁间隔设置；或者，所述第一槽区横向
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二槽区的深度为0.6μm～1μm。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述介质层为无机介质层。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层中的多层介质层包括阻挡层、位于所述阻挡层背离所述衬底层一侧表面的缓冲层、位于所述缓冲层背离所述衬底层一侧的第一栅介质层、位于所述第一栅介质层背离所述衬底层一侧的电容介质层、以及位于所述电容介质层背离所述衬底层一侧的层间介质层。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述层间介质层包括第一层间介质层和位于所述第一层间介质层背离所述衬底层一侧的第二层间介质层；所述驱动电路层中的多层介质层还包括：位于所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间的第二栅介质层。
12.根据权利要求10或11所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层位于所述阻挡层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述缓冲层、所述第一栅介质层、所述电容介质层和所述层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述缓冲层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述第一栅介质层、所述电容介质层和所述层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述第一栅介质层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述电容介质层和所述层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述电容介质层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述层间介质层。
13.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层位于所述第一层间介质层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述第二栅介质层和所述第二层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述第二栅介质层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述第二层间介质层。
14.根据权利要求10或11所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括位于所述显示区的第一栅电极层，所述第一栅电极层位于所述第一栅介质层和所述电容介质层之间，或者，所述第一栅电极层位于所述第一栅介质层和所述缓冲层之间；所述刻蚀阻挡层和所述第一栅电极层的材料相同且同层设置。
15.根据权利要求10或11所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括位于所述显示区的上电极层，所述上电极层位于所述电容介质层和所述层间介质层之间；所述刻蚀阻挡层和所述上电极层的材料相同且同层设置。
16.根据权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层还包括位于所述显示区的第二栅电极层，所述第二栅电极层位于所述第二栅介质层和所述第一层间介质层之间，或者，所述第二栅电极层位于所述第二栅介质层和所述第二层间介质层之间；所述刻蚀阻挡层和所述第二栅电极层的材料相同且同层设置。
17.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述隔离槽的数量为若干个，若干个所述隔离槽包括间隔设置的内隔离槽和外隔离槽，所述内隔离槽位于所述开孔区和所述外隔离槽之间；所述显示基板还包括：位于所述内隔离槽和所述外隔离槽之间的所述多层介质层上的挡墙。
18.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述显示区且位于所述多层介质层背离所述衬底层一侧的发光层，所述发光层还延伸至所述过渡区，所述隔离槽中的所述发光层和所述隔离层侧部的所述多层介质层上的所述发光层断开。
19.一种显示基板的制备方法，所述显示基板具有显示区、开孔区以及位...
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板具有显示区、开孔区以及位于所述显示区与所述开孔区之间的过渡区；所述显示基板包括：
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料包括钼、多晶硅和氧化铟镓锌中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度为0.02微米～0.4微米。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为单层结构或多层结构。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一槽区横向背离所述刻蚀阻挡层的侧壁与所述刻蚀阻挡层的底部表面之间的夹角为直角、锐角或钝角，所述第二槽区的侧壁与所述刻蚀阻挡层的底部表面之间的夹角为钝角。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层任意一侧的所述第一槽区的宽度大于1μm。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一槽区横向背离所述刻蚀阻挡层的侧壁相对于所述第二槽区的侧壁横向凹进所述介质层内，所述第一槽区的侧壁和所述第二槽区的侧壁间隔设置；或者，所述第一槽区横向背离所述刻蚀阻挡层的侧壁与所述第二槽区的侧壁连接。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第二槽区的深度为0.6μm～1μm。
9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述介质层为无机介质层。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述驱动电路层中的多层介质层包括阻挡层、位于所述阻挡层背离所述衬底层一侧表面的缓冲层、位于所述缓冲层背离所述衬底层一侧的第一栅介质层、位于所述第一栅介质层背离所述衬底层一侧的电容介质层、以及位于所述电容介质层背离所述衬底层一侧的层间介质层。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述层间介质层包括第一层间介质层和位于所述第一层间介质层背离所述衬底层一侧的第二层间介质层；所述驱动电路层中的多层介质层还包括：位于所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间的第二栅介质层。
12.根据权利要求10或11所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层位于所述阻挡层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述缓冲层、所述第一栅介质层、所述电容介质层和所述层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述缓冲层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述第一栅介质层、所述电容介质层和所述层间介质层；或者，所述刻蚀阻挡层位于所述第一栅介质层背离所述衬底层的一侧表面，所述第二槽区贯穿所述电容介质层和所述层间介质层；或者，...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡静，涂杰，杨峰，岳林，胡国仁，杨小双，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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