一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用技术

一种羟基化氮化硼填料‑聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用，涉及绝缘材料技术领域。本发明专利技术的目的是为了解决传统的以聚酰亚胺为基体的复合材料掺杂纳米填料后复合薄膜的介电损耗存在明显增加以及击穿场强降低的问题。本发明专利技术一种羟基化氮化硼填料/聚酰亚胺绝缘复合介质的制备方法，首先利用球磨的方法制备羟基化氮化硼填料，将BN纳米片、NaOH与蒸馏水混合后进行球磨，然后过滤、洗涤和烘干，得到羟基化氮化硼填料；再利用溶液共混法制备复合薄膜，以聚酰亚胺为基体，将羟基化氮化硼作为填料加入其中，利用溶液共混的方法制备而成。本发明专利技术可获得一种羟基化氮化硼填料‑聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及绝缘材料，具体涉及一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用。

技术介绍

1、近年来，电气、电子和通讯行业迅猛发展，对产品性能的要求日益提升。高分子介电材料因其出色的机械、热学和电学性能，受到行业青睐。与此同时，研究人员注意到聚合物在多个特性方面表现出色。然而，由于其介电常数相对较低，限制了其应用范围。为此，科研人员致力于解决这一技术难题，通过向聚合物中掺入具有特定特性的填料，以提升聚合物电介质的介电常数、降低介电损耗和提高击穿强度。

2、然而，将填料掺杂在聚合物中也带来了新的问题。其中，包括复合薄膜的介电损耗和电导率明显增加，以及击穿场强降低等挑战，亟需得到解决。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了解决传统的以聚酰亚胺为基体的复合材料掺杂纳米填料后复合薄膜的介电损耗存在明显增加以及击穿场强降低的问题，而提供一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法及应用。

2、一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，按以下步骤进行：

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【技术保护点】

1.一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于该制备方法按以下步骤进行：

2.根据权利要求1所述的一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤1中所述的氮化硼纳米片的质量、氢氧化钠的质量与蒸馏水的体积的比为(0.5～2)g：(1～3)g：(20～30)mL。

3.根据权利要求1所述的一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤1中球磨采用行星式高能球磨机，在200～300rpm的转速下球磨22～24h；步骤1中的洗涤是向过滤后的样品中加入盐酸溶液。

4.根据权利要求1所述的一种羟基化...

【技术特征摘要】

1.一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于该制备方法按以下步骤进行：

2.根据权利要求1所述的一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤1中所述的氮化硼纳米片的质量、氢氧化钠的质量与蒸馏水的体积的比为(0.5～2)g：(1～3)g：(20～30)ml。

3.根据权利要求1所述的一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤1中球磨采用行星式高能球磨机，在200～300rpm的转速下球磨22～24h；步骤1中的洗涤是向过滤后的样品中加入盐酸溶液。

4.根据权利要求1所述的一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤1中所述的羟基化氮化硼填料的粒径为1μm～2μm。

5.根据权利要求1所述的一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤2中所述的羟基化氮化硼填料的质量与n,n-二甲基乙酰胺溶液的体积的比为(0.00628～0.02512)g：(20～25)ml。

6.根据权利要求1所述的一种羟基化氮化硼填料-聚酰亚胺绝缘复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤3中所述的4,4’-二氨基二苯...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文超，腾宇，郑建航，冯宇，岳东，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：