【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶圆键合强度检测领域，尤其涉及用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置。
技术介绍
1、晶圆键合工艺是指通过化学和物理作用将两块已镜面抛光的同质或异质的晶片紧密地结合起来。晶片结合后，界面的原子受到外力的作用而产生反应形成共价键结合成一体，并使结合界面达到特定的键合强度。
2、晶圆键合工艺的工艺要求很高，对此，在三维芯片技术中需要对键合在一起的晶圆界面的键合强度进行测试从而判断键合的质量和品质，这对后续的工艺制程和最终产品性能有重要意义。
3、对两晶圆间的键合强度进行检测的常规检测方法之一是裂纹传播法，即插刀法。通常的插刀方式为手动插刀，效率低，且有安全风险。
4、鉴于此，亟需一种自动插刀装置，以解决手动插刀的检测效率低以及安全性差等问题。
技术实现思路
1、为了解决手动插刀的检测效率低以及安全性差的技术问题，本技术提供了一种用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置。
2、本技术的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置包括但不限于以下部件：
3、基座、运动平台、位移传感器以及刀片；
4、所述运动平台垂直于所述基座设置；
5、所述位移传感器被配置成朝第一晶圆和第二晶圆方向纵向移动以测量位移，所述位移传感器与所述刀片可移动地设置在所述运动平台上；
6、其中，所述位移传感器测得的两个峰值所对应的纵坐标的均值为所述刀片的插刀位置。
7、在一个实施例中，所述位移传感器与所述刀片在纵向上同步移
8、在一个实施例中，所述用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置还包括连接块，所述连接块可移动地设置在所述运动平台上。
9、在一个实施例中，所述位移传感器与所述刀片均连接至所述连接块上。
10、在一个实施例中，所述刀片位于所述位移传感器的下方。
11、在一个实施例中，所述第一晶圆与所述第二晶圆相键合。
12、在一个实施例中，所述第一晶圆的厚度向外侧逐渐变薄，直至最边缘的厚度为0。
13、在一个实施例中，所述第二晶圆的厚度向外侧逐渐变薄，直至最边缘的厚度为0。
14、在一个实施例中，所述两个峰值所对应的纵坐标分别为所述第一晶圆的高度和所述第二晶圆的高度。
15、在一个实施例中，所述位移传感器为激光位移传感器。
16、本技术的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置具有自动化、效率高、安全性高的优点。
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1.一种用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述位移传感器与所述刀片在纵向上同步移动。
3.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，还包括连接块，所述连接块可移动地设置在所述运动平台上。
4.如权利要求3所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述位移传感器与所述刀片均连接至所述连接块上。
5.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述刀片位于所述位移传感器的下方。
6.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述第一晶圆与所述第二晶圆相键合。
7.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述第一晶圆的厚度向外侧逐渐变薄，直至最边缘的厚度为0。
8.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述第二晶圆的厚度向外侧逐渐变薄，直至最边缘的厚度为0。
9.如权
10.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述位移传感器为激光位移传感器。
...【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述位移传感器与所述刀片在纵向上同步移动。
3.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，还包括连接块，所述连接块可移动地设置在所述运动平台上。
4.如权利要求3所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述位移传感器与所述刀片均连接至所述连接块上。
5.如权利要求1所述的用于晶圆键合强度检测的自动插刀装置，其特征在于，所述刀片位于所述位移传感器的下方。
6.如权利要求1所述的用于晶圆键合强...
【专利技术属性】
技术研发人员：马双义，
申请(专利权)人：拓荆键科海宁半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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